Транзистор IGW75N60T

Транзистор IGW75N60T

Артикул: 304458
39,80 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

технические

Номинальная Мощность428 W

Количество Стежков3

Рассеяние Мощности428 W

Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)600 V

Максимальная входная мощность428 W

Рабочая температура (Макс)175 ℃

Рабочая температура (мин)-40 ℃

Рассеиваемая Мощность (Макс)428 W

пакет

Стиль МонтажаThrough Hole

Количество Выводов3

Корпус/ПакетTO-247-3

размеры

Длина16.13 mm

Ширина21.1 mm

Высота5.21 mm

Корпус/ПакетTO-247-3

физическое

Рабочая Температура-40℃ ~ 175℃

304458

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IKW50N60H3(K50H603) to-247
Транзисторы IGBT

Транзистор IKW50N60H3(K50H603) to-247

266561
22,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 333W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.85V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 100A
Транзистор FMH16N50E to3p
Транзисторы IGBT

Транзистор FMH16N50E to3p

293119
15,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 195 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 16 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор STGW30V60DF
Транзисторы IGBT

Транзистор STGW30V60DF

294936
36,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 260 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.15 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Время...
Транзистор G20N60B3D
Транзисторы IGBT

Транзистор G20N60B3D

293129
38,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 165W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Транзистор 20N120 (WH20R1203,IHW20N120R2,IXGH20N120A3)...
Транзисторы IGBT

Транзистор 20N120 (WH20R1203,IHW20N120R2,IXGH20N120A3) to-247

265403
16,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 780 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 1200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IXGH60N60
Транзисторы IGBT

Транзистор IXGH60N60

268656
30,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.6V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 75A Максимальная температура перехода (Tj): 175 Время...
Транзистор GT45F128
Транзисторы IGBT

Транзистор GT45F128

275680
13,00 BYN
Тип управляющего канала: N-ChannelМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 26Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 330Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.45Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.