Транзистор HGTG10N120BND

Транзистор HGTG10N120BND

Артикул: 302448

Транзистор IGBT

28,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Рассеяние Мощности
298000 mW
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)
1200 V
Обратное время восстановления
70 ns
Максимальная входная мощность
298 W
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
298000 mW
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-247-3
размеры
Корпус/Пакет
TO-247-3
физическое
Рабочая Температура
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
302448

Просмотренные товары

Транзистор IRFR3410
Полевые транзисторы

Транзистор IRFR3410

276474
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 31 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK2749
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2749

304819
30,00 BYN
Маркировка: K2749 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRG4PH40UD to-247ac
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG4PH40UD to-247ac

266567
40,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 160W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15A Максимальная температура перехода (Tj): 175
Транзистор IRG7S313U
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG7S313U

278009
8,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 78W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 330V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.45V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A
Транзистор SGL160N60UFD to264
Транзисторы IGBT

Транзистор SGL160N60UFD to264

293380
57,20 BYN
Наименование: SGL160N60UFD Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 100 Корпус: TO264
Транзистор GT30J122A
Транзисторы IGBT

Транзистор GT30J122A

305013
14,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 Максимальная температура перехода (Tj): 150
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.