Транзистор FGA40N65SMD orig.

Транзистор FGA40N65SMD orig.

Артикул: 282637
Наличие встроенного диода
да
Максимальное напряжение КЭ ,В
650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
80
Импульсный ток коллектора (Icm), А
120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
349
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
12
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
92
Рабочая температура (Tj), °C
-55…+175
Корпус
TO-3PN
23,52 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
282637

Просмотренные товары

Микросхема 504НТ3А Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 504НТ3А Ni

300027
5,40 BYN
Изготовлена на основе полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом.Микросхемы 504НТ3А представляют собой сильноточную согласованную пару полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом, предназначенных для применения во входных каскадах усилителей постоянного тока, в дифферренциальных и операционных усилителях и коммутаторах.Корпус типа...
View
Микросхема 588ВГ6 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 588ВГ6 Au

300564
32,00 BYN
представляет собой контроллер оконечного устройства мультиплексной линии связи (адаптер) и предназначена для преобразования последовательной информации из нормализованного кода в код "Манчестер-2" и обратно со скоростью 1 Мбит/с.Изготовлены КМОП технологии и используются в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.Выпускаются в плоском...
View
Микросхема 564ЛЕ6 Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 564ЛЕ6 Ni

300334
2,60 BYN
Цифровая микросхема серии КМОП.Микросхема 564ЛЕ6 представляет собой два логических элемента 4ИЛИ-НЕ.Предназначена для работы в узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.Выпускается в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами для монтажа на печатную плату.Маркировка микросхемы и схема соединения электродов с выводами...
View
Транзистор STGW30NC120HD
Транзисторы IGBT

Транзистор STGW30NC120HD

305009
32,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 220 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 Тип корпуса: TO247
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IHW30N120R2 (30R1202) to247
Транзисторы IGBT

Транзистор IHW30N120R2 (30R1202) to247

293257
24,00 BYN
Наименование: IHW30N120R2 Маркировка: H30R1202 Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.0V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60A Корпус: TO247
View
Транзистор SKW30N60HS
Транзисторы IGBT

Транзистор SKW30N60HS

305004
35,60 BYN
Маркировка: K30N60HS Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.8 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 41 Максимальная температура перехода...
View
Транзистор IHW30N160R2 to247
Транзисторы IGBT

Транзистор IHW30N160R2 to247

293258
30,00 BYN
Наименование: IHW30N160R2 Маркировка: H30R1602 Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.35V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60A Корпус: TO247
View
Транзистор GT60N321 (Q) (60A, 1000V)
Транзисторы IGBT

Транзистор GT60N321 (Q) (60A, 1000V)

268392
32,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 170 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.6 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода (Tj): 150
View
Транзистор IXGH60N60
Транзисторы IGBT

Транзистор IXGH60N60

268656
30,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.6V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 75A Максимальная температура перехода (Tj): 175 Время...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.