Транзистор IRG4PC40W to-247

Транзистор IRG4PC40W to-247

Артикул: 266530

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 160W

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20A

Максимальная температура перехода (Tj): 175

14,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

IGBT 600V, 40A, 160W

266530
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор SGL160N60UFD to264
Транзисторы IGBT

Транзистор SGL160N60UFD to264

293380
57,20 BYN
Наименование: SGL160N60UFD Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 100 Корпус: TO264
View
Транзистор GT45G128 to220f
Транзисторы IGBT

Транзистор GT45G128 to220f

293144
23,20 BYN
Наименование: GT45G128 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 26 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 430 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.55 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)
View
Латунь пруток ЛС59-1 п/тв-1 80 х 200 мм
Латунь пруток

Латунь пруток ЛС59-1 п/тв-1 80 х 200 мм

17197
899,00 BYN
ЛС59-1  имеет химический состав ЛС59-1 на 57-60 % состоит из меди, 37,05-42,2 % цинка, 0,8-1,9 свинца и до 0,75 % примесей. Наряду со сплавом Л63 — ЛС59-1 обрёл наиболее широкое применение среди латуней обрабатываемых давлением. Согласно классификации, наш многокомпонентный сплав — обрабатываемый давлением, но на практике он применяется чаще в качестве...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор GT60M303
Транзисторы IGBT

Транзистор GT60M303

268391
42,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.7V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 15V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 400
View
Транзистор GT45G128 to220f
Транзисторы IGBT

Транзистор GT45G128 to220f

293144
23,20 BYN
Наименование: GT45G128 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 26 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 430 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.55 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)
View
Транзистор G30N60 (SGP30N60) to-220
Транзисторы IGBT

Транзистор G30N60 (SGP30N60) to-220

266510
7,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 208W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.8V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 63A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View
Транзистор GTP14N36G3VL
Транзисторы IGBT

Транзистор GTP14N36G3VL

293146
14,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.45V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 10V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View
Транзистор IRGB20B60PD1 to-220
Транзисторы IGBT

Транзистор IRGB20B60PD1 to-220

266565
25,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 215W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.35V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.