Транзистор G30N60HS (SGW30N60HS,HGTG30N60HS)...

Транзистор G30N60HS (SGW30N60HS,HGTG30N60HS) to-247

Артикул: 266562

ип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250W

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.5V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 41A

11,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

IGBT 600V,30A_без диода_High Speed IGBT in NPT-technology

266562
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор 2SK4212
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK4212

304884
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 48 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 14 ns Выходная емкость (Cd): 220 pf...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRG4PSH71UD
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG4PSH71UD

268394
72,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 350W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.70V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 99A
Транзистор SKW30N60HS
Транзисторы IGBT

Транзистор SKW30N60HS

305004
35,60 BYN
Маркировка: K30N60HS Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.8 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 41 Максимальная температура перехода...
Транзистор 2SJ6920 2-21F1A
Транзисторы IGBT

Транзистор 2SJ6920 2-21F1A

295045
20,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A Статический коэффициент передачи тока...
Транзистор SGH80N60UFD
Транзисторы IGBT

Транзистор SGH80N60UFD

294996
35,20 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 70 Корпус: TO3P
Транзистор IRG4PC50UD
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG4PC50UD

294955
31,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 27 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Корпус: TO247AC
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.