Транзистор FGH40N60SFD

Транзистор FGH40N60SFD

Артикул: 259970

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.3V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40.0A

35,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

IGBT 600V,75A,250W,Field Stop IGBT_с диодом_with diode

259970
Новый товар

Покупатели этого товара так же приобрели:

В этой категории 16 товаров:

Транзистор G60N100BNTD 2-21f2c
Транзисторы IGBT

Транзистор G60N100BNTD 2-21f2c

266555
27,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.9 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Транзистор GT30J121
Транзисторы IGBT

Транзистор GT30J121

305012
30,20 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 170 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 Максимальная температура перехода (Tj): 150
Транзистор STGW38IH130D
Транзисторы IGBT

Транзистор STGW38IH130D

266694
20,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1300V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20A
Транзистор 2SC5331
Транзисторы IGBT

Транзистор 2SC5331

295048
21,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор STGW30NC120HD
Транзисторы IGBT

Транзистор STGW30NC120HD

305009
32,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 220 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 Тип корпуса: TO247
Транзистор GT50N322(A) to-220
Транзисторы IGBT

Транзистор GT50N322(A) to-220

266547
17,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 156 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.2 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Транзистор 2PG011
Транзисторы IGBT

Транзистор 2PG011

302843
8,60 BYN
Тип управляющего канала: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 540 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.95 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания:...

Покупатели этого товара так же приобрели:

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.