Транзистор FGL40N120AND

Транзистор FGL40N120AND

Артикул: 294995

1200V NPT IGBT

32,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
294995

Просмотренные товары

Микросхема 564ИЕ11
Микросхемы отечественные

Микросхема 564ИЕ11

264322
12,00 BYN
Цифровая микросхема серии КМОП.Микросхемы 564ИЕ11 представляют собой четырехразрядный двоичный реверсивный счетчик.Содержат 319 интегральных элементов.Корпус типа 402.16-23, масса не более 1,5 г.Технические условия: бК0.347.064-03ТУ.Рабочая температура: -60...+125°С.Ток потребления: не более 0,6 мА.Напряжение питания: 4,2-13,5 В.
View
Транзистор FDD8778 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор FDD8778 dpak (to252)

293103
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 35 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Микросхема 185РУ4 Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 185РУ4 Ni

299697
4,40 BYN
Изготовлена по биполярной технологии, совместима по входу и выходу с ТТЛ-схемами.Микросхема 185РУ4 представляет собой ОЗУ емкостью 256 бит (256 х1р) со схемами управления.Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.Выпускаются в плоском металлокерамическом корпусе с двухсторонним расположением выводов для монтажа на...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор H40RF60 ( IHW40N60RF )
Транзисторы IGBT

Транзистор H40RF60 ( IHW40N60RF )

289729
25,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 305W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.85V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80A Корпус: TO247
View
Транзистор FGA40N65SMD orig.
Транзисторы IGBT

Транзистор FGA40N65SMD orig.

282637
23,52 BYN
Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 650 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 349 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 12 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 92...
View
Транзистор GTP14N36G3VL
Транзисторы IGBT

Транзистор GTP14N36G3VL

293146
14,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.45V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 10V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View
Транзистор IRGP4062D to-247
Транзисторы IGBT

Транзистор IRGP4062D to-247

266564
20,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.95V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 48A
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.