Транзистор RJP63K2 to-220F

Транзистор RJP63K2 to-220F

Артикул: 289730

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 630V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 35A

Время нарастания: 200

Корпус: TO220FL

12,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
289730

Просмотренные товары

Транзистор H3N60 изол
Полевые транзисторы

Транзистор H3N60 изол

293192
4,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 30 ns Выходная емкость (Cd): 50 pf...
Транзистор D5017
Биполярные транзисторы

Транзистор D5017

275691
6,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор IRG7R313U
Полевые транзисторы

Транзистор IRG7R313U

276510
5,52 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 78W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 330V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.35V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A DPAK

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SD2499
Транзисторы IGBT

Транзистор 2SD2499

295046
5,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Встроенный резистор цепи смещения R2 = 0.04 kOhm Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора...
Транзистор IRG4PSC71UD
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG4PSC71UD

268393
51,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 350W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.00V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60A Максимальная температура перехода (Tj): 150
Транзистор G60N100BNTD 2-21f2c
Транзисторы IGBT

Транзистор G60N100BNTD 2-21f2c

266555
27,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.9 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Транзистор STGB20NB37LZ
Транзисторы IGBT

Транзистор STGB20NB37LZ

266702
18,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 430V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Транзистор IXGH60N60
Транзисторы IGBT

Транзистор IXGH60N60

268656
30,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.6V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 75A Максимальная температура перехода (Tj): 175 Время...
Транзистор GT60N321 (Q) (60A, 1000V)
Транзисторы IGBT

Транзистор GT60N321 (Q) (60A, 1000V)

268392
32,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 170 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.6 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода (Tj): 150
Транзистор GL60N100BNTD to264a
Транзисторы IGBT

Транзистор GL60N100BNTD to264a

293137
33,20 BYN
Маркировка: G60N100BNTD Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.9 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура...

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор IRG7R313U
Полевые транзисторы

Транзистор IRG7R313U

276510
5,52 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 78W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 330V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.35V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A DPAK
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.