Транзистор JH30A3 to-3p

Транзистор JH30A3 to-3p

Артикул: 266545

Вес8 гIGBT 600v,30A,IGBT for Samsung Plasma TVНапряжение, V:600IGBT с диодом:С диодомТок, A:30

16,80 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

IGBT 600v,30A,IGBT for Samsung Plasma TV

266545
Новый товар

Просмотренные товары

Датчик надавливания (тензорезистор) с модулем управления
Датчики

Датчик надавливания (тензорезистор) с модулем управления

313932
22,00 BYN
Датчик надавливания (Тензорезистор) с модулем управления основан на эффекте деформации металла  под действием внешних сил. Модуль использует тензометрический датчик BF350-3AA для обнаружения деформации, с усилителем и потенциометром на плате для регулировки измеренных результатов.Технические характеристики:Выход: аналоговый и цифровой Подстройка...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор GW45HF60WD to247
Транзисторы IGBT

Транзистор GW45HF60WD to247

293149
41,20 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.65V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30A
View
Транзистор STGW39NC60VD
Транзисторы IGBT

Транзистор STGW39NC60VD

282563
17,00 BYN
ехнология/семейство powermesh Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А 220 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 250 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 33 Время задержки выключения...
View
Транзистор STGD3NB60SDT4
Транзисторы IGBT

Транзистор STGD3NB60SDT4

305018
16,20 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 48 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.1 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 Тип корпуса: DPAK
View
Транзистор IRGPS40B120UD
Транзисторы IGBT

Транзистор IRGPS40B120UD

268395
33,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 595W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.50V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80A
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.