Транзистор КТ819ГМ

Транзистор КТ819ГМ

Артикул: 259521

Транзисторы КТ819ГМ кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Транзисторы КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора не более 20 г.

9,90 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
259521
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор ST1803DFX
Биполярные транзисторы

Транзистор ST1803DFX

275791
6,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 57 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор П309А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор П309А Au

301372
13,00 BYN
кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные.Предназначены для применения в схемах переключения и преобразователей постоянного напряжения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Обозначение типа приводися на корпусе.Масса транзистора не более 2 г.Тип корпуса: КТЮ-3-6.Технические условия: ЖК3.365.059ТУ.
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ815Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ815Г

259511
1,76 BYN
Транзисторы КТ815Г кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.
View
Транзистор КТ817Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ817Г

259514
1,45 BYN
Транзисторы КТ817Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,7 г.
View
Транзистор КТ814Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ814Г

259509
1,45 BYN
Транзисторы КТ814Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.
View
Транзистор КТ816Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ816Г

259512
1,45 BYN
Транзисторы КТ816Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1 г.
View
Транзистор КТ818ГМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ818ГМ

259519
24,20 BYN
Транзисторы КТ818ГМ кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.Транзисторы КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Масса транзистора не более 20 г.
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор КТ837С
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ837С

301125
1,80 BYN
Транзисторы КТ837С кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...
View
Транзистор 3П602Г-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 3П602Г-2 Au

301686
7,60 BYN
 полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с барьером Шотки и каналом п-типа сверхвысокочастотные генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, преобразователях частоты на частотах 3...12 ГГц в герметизированной аппаратуре.Транзисторы 3П602А-2, 3П602Б-2, 3П602В-2, 3П602Г-2, 3П602Д-2 бескорпусные с гибкими выводами на...
View
Транзистор МП26Б
Германиевые транзисторы

Транзистор МП26Б

301344
0,40 BYN
Транзисторы МП26Б германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные.Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.Масса транзистора не более 2 г.Тип корпуса: КТЮ-3-6.Технические условия: ПЖ0.336.004 ТУ.
View
Транзистор 2Т991АС Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т991АС Au

300946
48,40 BYN
Сборки 2Т991АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в схеме с общей базой в полосе частот 350...700 МГц при напряжении питания 28 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.Тип сборки указывается на...
View
Транзистор 2Т836Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т836Б Au

300779
9,20 BYN
Транзисторы кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях мощности, источниках вторичного электропитания.Транзисторы 2Т836А, 2Т836Б, 2Т836В, 2Т836Г выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Транзистор 2Т836А-5 выпускается в виде...
View
Транзистор КП738А
Транзисторы отечественные

Транзистор КП738А

301569
2,80 BYN
Транзистор - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи.Транзистор КП738А служит для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов.Применяется в различных областях приборостроения, радиоэлектронной промышленности, электротехнической...
View
Транзистор 2Т925В Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т925В Au

300863
17,00 BYN
Транзисторы 2Т925В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 200...400 МГц при напряжении питания 12,6 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.Тип прибора указывается на корпусе.Масса...
View
Транзистор КП749В
Транзисторы отечественные

Транзистор КП749В

301585
1,60 BYN
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала.КП749В предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и  преобразователях с непрерывным испульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями и...
View
Транзистор 2Т971А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т971А Au

300928
91,44 BYN
Транзисторы 2Т971А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 28 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.Внутри корпуса имеется согласующее LС-звено.Тип прибора...
View
Транзистор КТ808ВМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ808ВМ

301504
7,00 BYN
Транзисторы КТ808ВМ кремниевые мезапланарные структуры n-p-n высоковольтные, переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения.
View
Транзистор КТ8176А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8176А

301084
1,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz...
View
Транзистор П201Э
Транзисторы отечественные

Транзистор П201Э

301346
6,00 BYN
Структура p-n-p Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 45 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 1,5 А мА Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 10* Вт Вт Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером...
View
Транзистор ГТ383Б-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор ГТ383Б-2 Au

301152
3,80 BYN
Транзисторы ГТ383Б германиевые планарные n-p-n СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частотах 1 ГГц.Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот.Выпускаются в керамическом негерметизированном корпусе с гибкими полосковыми выводами.На крышке корпуса со стороны вывода эмиттера наносится...
View
Транзистор 2Т955А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т955А Au

300889
28,00 BYN
Транзисторы 2Т955А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в линейных широкополосных усилителях мощности на частотах 1,5...30 МГц при напряжении питания 28 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 35 г.Тип корпуса:...
View
Транзистор КТ819А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ819А

301093
1,40 BYN
Транзисторы КТ819А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Транзисторы предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ814Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ814Г

259509
1,45 BYN
Транзисторы КТ814Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.
View
Транзистор КТ818ГМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ818ГМ

259519
24,20 BYN
Транзисторы КТ818ГМ кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.Транзисторы КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Масса транзистора не более 20 г.
View
Транзистор КТ816Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ816Г

259512
1,45 BYN
Транзисторы КТ816Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1 г.
View
Транзистор КТ815Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ815Г

259511
1,76 BYN
Транзисторы КТ815Г кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.
View
Транзистор КТ817Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ817Г

259514
1,45 BYN
Транзисторы КТ817Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,7 г.
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.