Транзистор КТ819ГМ

Транзистор КТ819ГМ

Артикул: 259521

Транзисторы КТ819ГМ кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Транзисторы КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора не более 20 г.

9,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22

Подробнее о товаре

Артикул 259521

Состояние Новый товар

Просмотренные товары

SKR47F17

Диоды выпрямительные

SKR47F17

TO247-2

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ814Г

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ814Г

Транзисторы КТ814Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.

Транзистор КТ818ГМ

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ818ГМ

Транзисторы КТ818ГМ кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.Транзисторы КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Масса транзистора не более 20 г.

Транзистор КТ815Г

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ815Г

Транзисторы КТ815Г кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.

Транзистор КТ816Г

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ816Г

Транзисторы КТ816Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1 г.

Транзистор КТ817Г

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ817Г

Транзисторы КТ817Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,7 г.

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 3П324А-2 Au

Транзисторы отечественные

Транзистор 3П324А-2 Au

Транзисторы 3П324А-2 полевые арсенидгаллиевые с затвором в виде барьера Шоттки с каналом n-типа усилительные.Транзисторы предназначены для применения в малошумящих усилителях в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках на частотах до 12 ГГц.ранзистора: 4 дБ на частоте 12 ГГц

Транзистор 2Т836Б Ni

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т836Б Ni

Транзисторы кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях мощности, источниках вторичного электропитания.Транзисторы 2Т836А, 2Т836Б, 2Т836В, 2Т836Г выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Транзистор 2Т836А-5 выпускается в виде...

Транзистор КП707А

Транзисторы отечественные

Транзистор КП707А

Мощные планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных и непрерывных вторичных источниках электропитания и схемах управления электродвигателями. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60…+100 °С.

Транзистор КТ940А

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ940А

Транзисторы КТ940А кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для для использования в кскадах видеоусилителей телевизионных приемников, усилителях постоянного тока и других схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими...

Транзистор 2П911Б Au

Транзисторы отечественные

Транзистор 2П911Б Au

Транзисторы 2П911Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным вертикальным каналом n-типа.Предназначены для применения в усилителях и генераторах на рабочей частоте до 1 ГГц, а также в быстродействующих переключающих устройствах.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.

Транзистор КТ361А2

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ361А2

Предназначен для работы в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения.Изготавливается в коpпусе КТ-26 (ТО-92).

Транзистор КТ3107Б

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3107Б

Транзисторы КТ3107Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.Предназначены для применения в усилителях, генераторах низкой и высокой частот, переключающих устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Транзисторы имеют два варианта маркировки:

Транзистор 2Т3124В-2 Au

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т3124В-2 Au

2Т3124В-2 транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. Предназначен для применения в малошумящих усилителях сверхвысоких частот в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию.

Транзистор П304

Транзисторы отечественные

Транзистор П304

Транзисторы П304 кремниевые сплавные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указан на корпусе.Масса транзистора не более 10 г.Технические условия:...

Транзистор 2Т880Г Ni

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т880Г Ni

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Транзисторы 2Т880А, 2Т880Б, 2Т880В, 2Т880Г, 2Т880Д выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Транзисторы 2Т880А-5 выпускается в виде...

Транзистор КТ203БМ

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ203БМ

Транзисторы КТ203БМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Транзисторы маркируются цветным кодом.Боковая поверхность корпуса у всех транзисторов окрашивается...

Транзистор 2Т391Б-2 Au

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т391Б-2 Au

Транзисторы 2Т391Б-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 3,6 ГГц.Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот в составе гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры, обеспечивающих герметизацию.Бескорпусные с гибкими выводами...

Транзистор 2Т625А

Нихром Х20Н80

Транзистор 2Т625А

2Т625А транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.

Транзистор 3П325А-2 Au

Транзисторы отечественные

Транзистор 3П325А-2 Au

Транзисторы 3П325А-2 полевые арсенидгаллиевые с каналом n-типа и барьером Шотки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 8 ГГц.Предназначены для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей в составе гибридных интегральных микросхем.Транзисторы 3П325А-2, АП325А-2 бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с...

Транзистор КТ325ВМ

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ325ВМ

Транзисторы КТ325ВМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с ненормированным коэффициентом шума.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты аппаратуры широкого назначения.Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Транзистор КТ3151Д9

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3151Д9

Транзисторы КТ3151Д9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилителях, генераторах, импульсных устройствах в составе гибридных интегральных микросхем с общей герметизацией.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими...

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ815Г

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ815Г

Транзисторы КТ815Г кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.

Транзистор КТ816Г

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ816Г

Транзисторы КТ816Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1 г.

Транзистор КТ817Г

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ817Г

Транзисторы КТ817Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,7 г.

Транзистор КТ814Г

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ814Г

Транзисторы КТ814Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.

Транзистор КТ818ГМ

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ818ГМ

Транзисторы КТ818ГМ кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.Транзисторы КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Масса транзистора не более 20 г.

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.