Транзистор МП112

Транзистор МП112

Артикул: 301333

Транзисторы, кремпниевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным (МП101, МП101Б, МП102, МП103, МП103А, МП111, МП111Б, МП112, МП113, МП113А) и нормированным (МП101А, МП111А) коэффициентами шума на частоте 1 кГц.

Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

0,40 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
301333

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2П312Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2П312Б Au

301639
6,40 BYN
Транзисторы 2П312Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.Предназначены для применения во входных усилительных и преобразовательных каскадах сверхвысокочастотного диапазона.
View
Транзистор КТ315Ж
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ315Ж

301293
0,80 BYN
Транзисторы КТ315Ж кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Масса транзистора не более 0,18 г.Тип корпуса:...
View
Транзистор ТКД265-250-3
Транзисторы отечественные

Транзистор ТКД265-250-3

301390
80,80 BYN
ранзисторы составные биполярные серии ТКД265 предназначены для применения в устройствах силовой электроники и преобразовательной техники в качестве ключевого элемента, в особенности, при необходимости коммутации больших мощностей. Обладая высокими коэффициентами передачи тока, транзисторы позволяют значительно упростить схему и конструкцию устройств...
View
Транзистор 1Т403Д
Транзисторы отечественные

Транзистор 1Т403Д

300726
0,60 BYN
Транзисторы 1Т403Д германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 4...
View
Транзистор 2Т689АС Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т689АС Au

301033
34,40 BYN
Транзисторы 2Т689АС p-n-p биполярные переключательные импульсные с рассеиваемой мощностью не более 0.4 Вт, с граничной частотой коэффициента передачи тока не более 300 МГц.Тип корпуса: 401.14-6.Технические условия: аА0.339.758ТУ.
View
Транзистор 2Т301Ж, Г
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т301Ж, Г

259428
6,60 BYN
Транзисторы 2Т301Ж кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилителях и генераторах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,5 г.
View
Транзистор КТ315М
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ315М

301296
0,80 BYN
Технические параметры Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.05 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 250 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.1 Корпус кт-13...
View
Транзистор КТ502Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ502Г

301420
0,52 BYN
Транзисторы КТ502Г  кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, средней мощности.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Маркируются цифро-буквенным, графическим или цветовым кодом на...
View
Транзистор КТ863А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ863А

301180
1,60 BYN
Транзисторы КТ863А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания, электронных фотовспышках.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Тип корпуса: КТ-28-2...
View
Транзистор 2П305А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2П305А Au

301636
5,40 BYN
Транзисторы 2П305А кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.Предназначены для работы во входных каскадах усилителей высокой частоты до 250 МГц, усилителях с высоким входным сопротивлением и  других схемах аппаратуры специального назначения..
View
Транзистор 2П903В Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2П903В Au

301656
4,80 BYN
Транзисторы 2П903В кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные.Транзисторы 2П903А, 2П903Б, 2П903В предназначены для применения в приемопередающих и переключающих устройствах.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается...
View
Транзистор КТ9175Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ9175Б Au

301230
109,80 BYN
Эпитаксиально-планарный n-p-n низковольтный СВЧ транзистор для работы в метровом диапазоне волн.КТ9175Б предназначен для работы в усилителях мощности мобильной и портативной аппаратуры специального назначения.Надежность эксплуатации обеспечивается использованием балластирующих эмиттерных резисторов и 100%-ным контролем по Рк max.Выпускаются в...
View
Транзистор КТ659А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ659А Au

301481
4,80 BYN
Транзистор КТ659А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный.Предназначен для применения в высокоскоростных переключающих устройствах.Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Масса транзистора не более 1,5 г.
View
Транзистор 2Т831А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т831А Au

301080
10,80 BYN
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях мощности, преобразователях.Корпус транзистора 2Т831А, 2Т831Б, 2Т831В, 2Т831Г металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Масса транзисторов не более 2 г.Тип корпуса: КТ-2-7 (ТО-39).Технические условия: аА0.339.140 ТУ.
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.