Транзистор КП504А

Транзистор КП504А

Артикул: 301548

Кpемниевые эпитаксиально-планаpные полевые тpанзистоpы с изолиpованным затвоpом, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом.
КП504А пpедназначены для использования в источниках втоpичного электpопитания с бестpансфоpматоpным входом, в pегулятоpах, стабилизатоpах с непpеpывным импульсным упpавлением, блоках питания эвм, cхемах упpавления электpодвигателей и дpугой pадиоэлектpонной аппаpатуpе.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Технические условия: АДБК.432140.690 ТУ.
Прототип: BSS88.

0,80 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22

Подробнее о товаре

Артикул 301548

Просмотренные товары

Микросхема UCC27321DGNR

Микросхемы импортные

Микросхема UCC27321DGNR

View

Транзистор 2SA1141

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1141

Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 115 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 115 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода...

View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор КП770А

Транзисторы отечественные

Транзистор КП770А

КП770А мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор.Типовые применения следующие: высокочастотные импульсные источники питания, системы преобразователей и инверторов для управления скоростью электродвигателей постоянного и переменного тока, высокочастотные генераторы для индукционного нагрева, ультразвуковые генераторы, звуковые усилители, периферийные...

View

Транзистор КП307Е Ni

Транзисторы отечественные

Транзистор КП307Е Ni

Транзисторы КП307Е кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.Транзисторы КП307Ж в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах...

View

Транзистор КТ808ВМ

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ808ВМ

Транзисторы КТ808ВМ кремниевые мезапланарные структуры n-p-n высоковольтные, переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения.

View

Транзистор 2Т208И1

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т208И1

Транзисторы 2Т208И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,6 г.Тип корпуса: КТ-1-7.Технические условия: ЮФ3.365.035 ТУ.

View

Транзистор П309А Au

Транзисторы отечественные

Транзистор П309А Au

кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные.Предназначены для применения в схемах переключения и преобразователей постоянного напряжения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Обозначение типа приводися на корпусе.Масса транзистора не более 2 г.Тип корпуса: КТЮ-3-6.Технические условия: ЖК3.365.059ТУ.

View

Транзистор КТ9166А

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ9166А

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 15 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 70 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 90 Максимальная рассеиваемая мощность...

View

Транзистор 2Т903Б ОС

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т903Б ОС

Транзисторы 2Т903Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности и автогенераторах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 24 г.Тип корпуса: КТЮ-3-20.Технические условия: И93.365.004 ТУ.

View

Транзистор КТ8297Б (марк. KSB772O)

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8297Б (марк. KSB772O)

КТ8297Б транзистор радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи для усиления,применяется для генерации и преобразования электрических сигналов.

View

Транзистор КТ805А

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ805А

Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 60(160) В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 60(160) В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 5000(8000) мА Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (30) Вт Статический...

View

Транзистор МП42

Германиевые транзисторы

Транзистор МП42

Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 15 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 10 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 45 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 1 Максимальная...

View

Транзистор КТ815Г

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ815Г

Транзисторы КТ815Г кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.

View

Транзистор 2Т3124А-2 Au

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т3124А-2 Au

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в малошумящих усилителях сверхвысоких частот в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию.Бескорпусные с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).Маркируются цветной точкой: - 2Т3124А-2 - красной; - 2Т3124Б-2 -...

View

Транзистор КТ991АС Au

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ991АС Au

Сборки КТ991АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в схеме с общей базой в полосе частот 350...700 МГц при напряжении питания 28 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.Тип сборки указывается на...

View

Транзистор 2Т203В Ni

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т203В Ni

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Транзисторы 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203Д предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,5 г.Тип корпуса: КТ-1-7.Технические...

View

Транзистор 3П328А-2

Транзисторы отечественные

Транзистор 3П328А-2

Транзисторы 3П328А-2 полевые арсенидгаллиевые планарные с двумя затворами с каналом n-типа и барьером Шоттки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 8 ГГц.Предназначены для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей в составе гибридных интегральных микросхем.Транзисторы 3П328А-2, АП328А-2 бескорпусные на...

View

Транзистор 1Т806А

Транзисторы отечественные

Транзистор 1Т806А

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные.Транзисторы 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В предназначены для применения в импульсных устройствах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения.Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Масса транзистора не более 28 г.Тип корпуса: КТЮ-3-20.Технические...

View

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.