Транзисторы

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3120А Ni

Транзисторы КТ3120А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц.Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот.Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.Транзисторы КТ3120А выпускаются в...

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3120АМ

301208

1,60 BYN

Транзисторы КТ3120АМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц.Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот.Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3123

259821

1,60 BYN

Транзисторы КТ3123АМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума.Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.Транзисторы КТ3123АМ, КТ3123БМ, КТ3123ВМ выпускаются в металлокерамическом корпусе.Масса транзисторов не более 0,3 г.Тип корпуса: КТ-29.

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3123БМ

301209

2,00 BYN

Транзисторы КТ3123БМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, высокочастотные, с нормированным коэффициентом шума.Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с...

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3123ВМ

301210

2,20 BYN

Транзисторы КТ3123ВМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, высокочастотные, с нормированным коэффициентом шума.Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3126А

301211

0,40 BYN

Транзисторы КТ3126А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ненормированным коэффициентом шума, высокочастотные.Предназначены для применения в генераторах, усилителях, преобразователях аппаратуры общего назначения .Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Маркируются условным кодом - квадратом на плоской...

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3126Б

301212

0,60 BYN

Транзисторы КТ3126Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ненормированным коэффициентом шума, высокочастотные.Предназначены для применения в генераторах, усилителях, преобразователях аппаратуры общего назначения .

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3127А

259822

2,00 BYN

Транзистор КТ3127А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц.Предназначен для применения в усилителях высокой частоты.Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,4 г.Тип корпуса: КТ-1-12.

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3128А Ni

301213

2,00 BYN

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ненормированным коэффициентом шума.Предназначены для применения в селекторах телевизионных каналов с автоматической регулировкой усиления.Транзистор КТ3128А выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3129Б9

301239

0,40 BYN

Транзисторы КТ3129Б9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в низкочастотных усилителях, генераторах, импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.Тип прибора указывается в этикетке.Тип корпуса:...

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3129В9

301242

0,40 BYN

КТ3129В9Транзисторы КТ3129В9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в низкочастотных усилителях, генераторах, импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3129Г9

301244

0,40 BYN

Транзисторы КТ3129Г9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в низкочастотных усилителях, генераторах, импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3129Г9 Au

301252

0,40 BYN

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ312А

259434

4,16 BYN

Транзисторы КТ312А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях и генераторах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1 г.

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ312В

259435

4,16 BYN

Транзисторы КТ312В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях и генераторах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1 г.

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ312В Ni

301254

2,00 BYN

Транзисторы КТ312В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях и генераторах.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ312В1 Ni

301255

0,80 BYN

Транзисторы КТ312В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях и генераторах.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3130Б9

301257

0,40 BYN

КТ3130Б9Транзисторы КТ3130Б9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3130В9

301259

0,40 BYN

КТ3130В9Транзисторы КТ3130В9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих низкочастотных усилителей, в высокочастотных усилителях, генераторах, стабилизаторах напряжения герметизированной аппаратуры.Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для...

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3130Г9

301261

0,40 BYN

кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих низкочастотных усилителей, в высокочастотных усилителях, генераторах, стабилизаторах напряжения герметизированной аппаратуры.Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3130Д9

301263

0,40 BYN

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3132А-2 Au

301264

6,40 BYN

Транзисторы КТ3132А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума.Предназначены для применения в СВЧ маломощных усилителя диапазона частот 1...7,2 ГГц герметизированной аппаратуры.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3132В-2 Au

301266

1,40 BYN

Транзисторы КТ3132 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума.Предназначены для применения в СВЧ маломощных усилителя диапазона частот 1...7,2 ГГц герметизированной аппаратуры.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3132Е-2 Au

301269

2,20 BYN

кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума.Предназначены для применения в СВЧ маломощных усилителя диапазона частот 1...7,2 ГГц герметизированной аппаратуры.

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3139Б

301272

0,40 BYN

КТ3139Б транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный, предназначен для применения в усилителях и импульсных устройствах.

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ313А

4,00 BYN

Транзисторы КТ313А кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами.Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на...

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ313А1

301273

0,40 BYN

Транзисторы КТ313А1 кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ313Б1

301274

0,40 BYN

Транзисторы КТ313Б1 кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ313Г1

301275

0,40 BYN

Транзисторы КТ313Г1 кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3143А

301276

0,40 BYN

КТ3143А транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный, предназначен для применения в усилителях и импульсных устройствах.

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3144А

301277

0,64 BYN

Область применения: для работы в усилительных и переключающих схемах.

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3151А9

301278

0,40 BYN

Транзисторы КТ3151А9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилителях, генераторах, импульсных устройствах в составе гибридных интегральных микросхем с общей герметизацией.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими...

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3151Г9

301279

0,40 BYN

Транзисторы КТ3151Г9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилителях, генераторах, импульсных устройствах в составе гибридных интегральных микросхем с общей герметизацией.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими...

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3151Д9

301280

0,40 BYN

Транзисторы КТ3151Д9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилителях, генераторах, импульсных устройствах в составе гибридных интегральных микросхем с общей герметизацией.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими...

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3151Е9

301281

0,40 BYN

Транзисторы КТ3151Е9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилителях, генераторах, импульсных устройствах в составе гибридных интегральных микросхем с общей герметизацией.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими...

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3157А

259824

0,52 BYN

p-n-p, Pк 200мВт, fгр >=60мГц, Uкэr 250В(10к), Uэбо 5В, Iк 30мА, Iк и 100мА

Показано 6085-6120 из 6609