Транзистор КТ3130Г9
кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих низкочастотных усилителей, в высокочастотных усилителях, генераторах, стабилизаторах напряжения герметизированной аппаратуры.
Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
Транзисторы маркируются цветной меткой на корпусе:
- КТ3130А9 - красной,
- КТ3130Б9 - желтой,
- КТ3130В9 - зеленой,
- КТ3130Г9 - голубой,
- КТ3130Д9 - синей,
- КТ3130Е9 - белой.
Тип прибора указывается в этикетке.
Тип корпуса: КТ-46А (SOT-23).
Масса транзистора не более 0,01 г
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» - аА0.336.448ТУ/02.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: 2SC1622D6, 2SC1622D7, 2SD601A, BCF81, BCV72, BCW60B, BCW72, BCW81, BCX70H, MMBC1623L6, TMPT1623L4.
Основные технические характеристики транзистора КТ3130Б-9:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 150 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 200... 500;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 12 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц