Транзистор КТ3151А9

Транзистор КТ3151А9

Артикул: 301278

Транзисторы КТ3151А9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях, генераторах, импульсных устройствах в составе гибридных интегральных микросхем с общей герметизацией.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.
Тип прибора указывается в этикетке.
Тип корпуса: КТ-46 (SOT-23).
Масса транзистора не более 0,01 г
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.626ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: BCW31, BSS64.

0,40 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
301278

Просмотренные товары

Транзистор D1088
Биполярные транзисторы

Транзистор D1088

275572
6,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор BD839
Биполярные транзисторы

Транзистор BD839

275160
2,16 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2Т208Ж Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т208Ж Ni

300768
1,60 BYN
Транзисторы 2Т208Ж кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,6 г.Тип корпуса: КТ-1-7.Технические условия: ЮФ3.365.035 ТУ.
View
Транзистор КТ639Ж
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ639Ж

301469
0,60 BYN
Транзисторы КТ639Ж кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, усилителях мощности, видеоусилителях, автомобильных электронных устройствах, импульсных и переключающих устройствах, в оконечных устройствах ЭВМ. Транзисторы КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж,...
View
Транзистор КТ976А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ976А Au

301283
27,00 BYN
Транзисторы СВЧ 2Т976А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах до 1000 МГц в схемах с общей базой при напряжении питания 28 В.Используются для работы в стационарной и бортовой аппаратуре средств радиосвязи специального...
View
Транзистор 2Т921А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т921А Au

300858
23,80 BYN
Транзисторы 2Т921А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные линейные.Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, стабилизаторах и преобразователях напряжения.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 6,5 г.Тип корпуса:...
View
Транзистор КТ6113Е
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ6113Е

301445
0,40 BYN
Кремниевые среднемощные n-p-n транзисторы КТ6113А—КТ6113Епредназначены для работы во входных и промежуточных ступенях усилителей ВЧ,в преобразователях частоты и других узлах и блоках электронной аппаратуры широкого применения.Транзисторы изготавливают по эпитаксиально-планарной технологии.Они оформлены в пластмассовом корпусе КТ-26 (по европейской...
View
Транзистор КТ859А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ859А

259801
1,10 BYN
Транзистор КТ859А кремниевый мезапланарный структуры n-p-n переключательный.Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 3 г.
View
Транзистор П214А
Транзисторы отечественные

Транзистор П214А

301356
1,80 BYN
Транзисторы П214А германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указан на корпусе.Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не...
View
Транзистор 2Т214Д-1
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т214Д-1

300894
2,20 BYN
Транзисторы 2Т214Д-1/ДА кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах герметизированной аппаратуры специального назначения.Выпускаются в бескорпусном исполнении.Тип прибора указывается на возвратной таре.Масса транзистора не более 0,01 г.Технические условия:...
View
Транзистор 2Т827А
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т827А

301070
43,20 BYN
Транзисторы 2Т827А кремниевые эпитаксиальные меза-планарные составные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, электронных системах управления защиты и автоматики.Используются для работы в узлах и...
View
Транзистор КТ521А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ521А

301433
0,40 BYN
Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный p-n-p транзистор.КТ521А предназначен для работы в выходных каскадах видеоусилителей, ключевых высоковольтных схемах и других узлах и блоках аппаратуры широкого применения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Масса транзистора не более...
View
Транзистор КТ997А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ997А

301317
1,40 BYN
Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 45 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 45 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 10000(20000) мА Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (50) Вт Статический...
View
Транзистор 2П303Д Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2П303Д Ni

301632
3,80 BYN
Транзисторы 2П303Д кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты 2П303Д, 2П303Е, 2П303И и низкой 2П303А, 2П303Б, 2П303В частот с высоким входным сопротивлением.
View
Транзистор КТ818ВМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ818ВМ

259518
3,08 BYN
Транзисторы КТ818ВМ кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.Транзисторы КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Масса транзистора не более 20 г.
View
Транзистор КТ926Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ926Б

25,00 BYN
Транзисторы КТ926Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.Предназначены для применения в импульсных модуляторах в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и винтом.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Вывод эмиттера маркируется точкой.Тип корпуса: КТ-10.Масса...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.