Транзистор FGH50N6S2D

Транзистор FGH50N6S2D

Артикул: 304934
75,40 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

технические

Номинальное Напряжение (DC)600 V

Номинальный Ток75.0 A

Количество Стежков3

ПолярностьN-Channel

Рассеяние Мощности463 W

Время Нарастания15 ns

Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)600 V

Обратное время восстановления55 ns

Максимальная входная мощность463 W

Время падения50 ns

Рабочая температура (Макс)150 ℃

Рабочая температура (мин)-55 ℃

Рассеиваемая Мощность (Макс)463000 mW

пакет

Стиль МонтажаThrough Hole

Количество Выводов3

Корпус/ПакетTO-247-3

размеры

Высота20.82 mm

Корпус/ПакетTO-247-3

физическое

Рабочая Температура-55℃ ~ 150℃ (TJ)

304934

Просмотренные товары

Транзистор FDS6680 so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6680 so8

293111
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор GW60V60DF
Транзисторы IGBT

Транзистор GW60V60DF

268386
21,00 BYN
Маркировка: GW60V60DF Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 375 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.15 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода...
View
Транзистор FGA40N65SMD orig.
Транзисторы IGBT

Транзистор FGA40N65SMD orig.

282637
23,52 BYN
Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 650 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 349 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 12 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 92...
View
Транзистор IRG4PC50U (IGBT 55A, 600В) to-247ac
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG4PC50U (IGBT 55A, 600В) to-247ac

266422
22,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 27A Максимальная температура перехода (Tj): 175
View
Транзистор 2PG011
Транзисторы IGBT

Транзистор 2PG011

302843
8,60 BYN
Тип управляющего канала: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 540 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.95 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания:...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.