Транзистор GT30J127 to-220f

Транзистор GT30J127 to-220f

Артикул: 266511

Транзистор, IGBT, 600В, 30А [TO-220SIS formed leads]

5,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

IGBT транзистор,600V,200A_Часто применяется в плазменных телевизорах (Plasma TV)

266511
Новый товар

Просмотренные товары

Микросхема 1145ЕН2А Au (51)
Микросхемы отечественные

Микросхема 1145ЕН2А Au (51)

299228
16,20 BYN
представляют собой стабилизатор напряжения с регулируемым выходным напряжением 3-12В.Изготовлены по биполярной технологии и используются в источниках вторичного электропитания радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.Выпускаются в плоском металлокерамическом корпусе с двухсторонним расположением выводов для монтажа на поверхность печатной...
View
Транзистор H30R1203 ( 30N120R3 )
Транзисторы IGBT

Транзистор H30R1203 ( 30N120R3 )

289728
17,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 349 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.55 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Емкость...
View
Микросхема 564ИЕ14 Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 564ИЕ14 Ni

300229
3,80 BYN
цифровая микросхема 564-ой серии, являются транзисторной логикой с функционалом четырехразрядный двоичный счетчик и используются в РЭА большой области эксплуатации. Производятся в керамометаллическом корпусе. Модель изделия наносится на металлической части корпуса. Номинальное значение нагрева при эксплуатации от минус 60 до плюс 125oC. Климатически...
View
Микросхема 564ТВ1 Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 564ТВ1 Ni

300463
3,20 BYN
Цифровая микросхема серии КМОП.Микросхемы 564ТВ1 представляют собой два JK-триггера с асинхронными RS-входами и динамическим управлением записи.Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами для монтажа на печатную плату.Маркировка микросхем и схема...
View
Микросхема 273ХА1 Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 273ХА1 Ni

299937
37,80 BYN
Микросхема 273ХА1 - микроминиатюрное электронное устройство, все или часть элементов которого нераздельно связаны конструктивно и соединены между собой электрически.По своему функциональному назначению интегральные микросхемы делятся на две основные группы: аналоговые, или линейно-импульсные, и логические, или цифровые, микросхемы. Аналоговые микросхемы...
View
Микросхема 134ТВ14 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 134ТВ14 Au

299414
9,20 BYN
134ТВ14 — цифровая микросхема технологии ТТЛ 134-ей серии, являются транзисторно матлогикой с функционалом двойной JK триггери и используются в РЭА в большой области эксплуатации. Микросхемы изготовлены в керамометаллическом корпусе и выпускаются в корпусе 401.14-1. Модель изделия наносится на металлической части корпуса. Номинальное значение нагрева при...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

В этой категории 16 товаров:

Транзистор GW60V60DF
Транзисторы IGBT

Транзистор GW60V60DF

268386
21,00 BYN
Маркировка: GW60V60DF Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 375 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.15 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода...
View
Транзистор 2SC5331
Транзисторы IGBT

Транзистор 2SC5331

295048
21,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор G30N60HS (SGW30N60HS,HGTG30N60HS) to-247
Транзисторы IGBT

Транзистор G30N60HS (SGW30N60HS,HGTG30N60HS) to-247

266562
11,00 BYN
ип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.5V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 41A
View
Транзистор IRG4PF50WD (IGBT 51A, 900В) to-247ac
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG4PF50WD (IGBT 51A, 900В) to-247ac

266423
24,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 28A Максимальная температура перехода (Tj): 175
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.