Транзистор STGD10NC60HT4

Транзистор STGD10NC60HT4

Артикул: 302432

Транзистор IGBT

21,60 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Рассеяние Мощности
60000 mW
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)
600 V
Максимальная входная мощность
60 W
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
60 W
пакет
Стиль Монтажа
Surface Mount
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-252-3
размеры
Длина
6.6 mm
Ширина
6.2 mm
Высота
2.4 mm
Корпус/Пакет
TO-252-3
физическое
Рабочая Температура
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
302432

Просмотренные товары

Сельсин ВТ-5 ЛШ3.010.527-06 кл.0
Сельсины

Сельсин ВТ-5 ЛШ3.010.527-06 кл.0

289506
167,40 BYN
Напряжение питания прибора трансформатор ВТ-5 ЛШ3.010.527-06 вращающийся - 60В; Полное входное сопротивление холостого хода - 2000 Ом±200 Ом; Коэффициент трансформации прибора трансформатор вращающийся ВТ-5 ЛШ3.010.527-06 - 0,53±0,02; Вращающиеся трансформаторы ВТ-5 подразделяются на классы точности: - трансформатор ВТ-5 ЛШ3.010.527-06 А класс точности (А...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRG4BC30UD (IGBT 23A, 600В) to-220
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG4BC30UD (IGBT 23A, 600В) to-220

266556
10,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12A Максимальная температура перехода (Tj): 150
Транзистор G40N150D
Транзисторы IGBT

Транзистор G40N150D

268385
40,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1500V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.7V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 180
Транзистор 2SC5331
Транзисторы IGBT

Транзистор 2SC5331

295048
21,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор GW50NB60M
Транзисторы IGBT

Транзистор GW50NB60M

268387
45,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 190W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.8V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.