Транзистор STGP6NC60HD

Транзистор STGP6NC60HD

Артикул: 304765
26,80 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

технические

Номинальное Напряжение (DC)600 V

Номинальный Ток15.0 A

Количество Стежков3

ПолярностьN-Channel

Рассеяние Мощности56 W

Время Нарастания5.00 ns

Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)600 V

Обратное время восстановления21 ns

Максимальная входная мощность56 W

Рабочая температура (Макс)150 ℃

Рабочая температура (мин)-55 ℃

Рассеиваемая Мощность (Макс)62500 mW

пакет

Стиль МонтажаThrough Hole

Количество Выводов3

Корпус/ПакетTO-220-3

размеры

Длина10.4 mm

Ширина4.6 mm

Высота9.15 mm

Корпус/ПакетTO-220-3

физическое

Рабочая Температура-55℃ ~ 150℃ (TJ)

304765

Просмотренные товары

Транзистор 2SD1881
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1881

304486
10,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор BD681
Биполярные транзисторы

Транзистор BD681

275158
1,96 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор G30N60 (SGP30N60) to-220
Транзисторы IGBT

Транзистор G30N60 (SGP30N60) to-220

266510
7,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 208W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.8V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 63A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View
Транзистор IRGP4063D to-247
Транзисторы IGBT

Транзистор IRGP4063D to-247

266560
30,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 330W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.14V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 96A
View
Транзистор IHW30N120R2 (30R1202) to247
Транзисторы IGBT

Транзистор IHW30N120R2 (30R1202) to247

293257
24,00 BYN
Наименование: IHW30N120R2 Маркировка: H30R1202 Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.0V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60A Корпус: TO247
View
Транзистор GT40RR21 to3
Транзисторы IGBT

Транзистор GT40RR21 to3

293143
26,80 BYN
Маркировка: 40RR21 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 230 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1350 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.05 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 Максимальная температура перехода...
View
Транзистор GT60N321 (Q) (60A, 1000V)
Транзисторы IGBT

Транзистор GT60N321 (Q) (60A, 1000V)

268392
32,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 170 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.6 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода (Tj): 150
View
Транзистор STGW39NC60VD
Транзисторы IGBT

Транзистор STGW39NC60VD

282563
17,00 BYN
ехнология/семейство powermesh Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А 220 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 250 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 33 Время задержки выключения...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.