Транзистор IRF635

Транзистор IRF635

Артикул: 270162

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.68 Ohm

Тип корпуса: TO220

8,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
270162
Новый товар

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор SGB10N60A d2pak (to263)
Транзисторы IGBT

Транзистор SGB10N60A d2pak (to263)

293379
10,00 BYN
Наименование: SGB10N60A Маркировка: G10N60A Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 92W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.3V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20A Корпус: D2PAK(TO263)
Транзистор IRG4PC50U (IGBT 55A, 600В) to-247ac
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG4PC50U (IGBT 55A, 600В) to-247ac

266422
22,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 27A Максимальная температура перехода (Tj): 175
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.