Транзистор IGW60T120

Транзистор IGW60T120

Артикул: 304610
38,80 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
технические
Номинальная Мощность
375 W
Количество Стежков
3
Рассеяние Мощности
375 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)
1200 V
Максимальная входная мощность
375 W
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
375 W
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-247-3
размеры
Длина
15.9 mm
Ширина
5.3 mm
Высота
20.95 mm
Корпус/Пакет
TO-247-3
физическое
Рабочая Температура
-40℃ ~ 150℃
304610

Просмотренные товары

Транзистор BSP254
Полевые транзисторы

Транзистор BSP254

276282
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.8 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная...
View
Транзистор 2SD1881
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1881

304486
10,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор BD681
Биполярные транзисторы

Транзистор BD681

275158
1,96 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRG4PC50UD
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG4PC50UD

294955
31,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 27 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Корпус: TO247AC
View
Транзистор GT50N322(A) to-220
Транзисторы IGBT

Транзистор GT50N322(A) to-220

266547
17,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 156 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.2 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View
Транзистор IHW30N160R2 to247
Транзисторы IGBT

Транзистор IHW30N160R2 to247

293258
30,00 BYN
Наименование: IHW30N160R2 Маркировка: H30R1602 Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.35V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60A Корпус: TO247
View
Транзистор G60N100BNTD 2-21f2c
Транзисторы IGBT

Транзистор G60N100BNTD 2-21f2c

266555
27,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.9 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.