Транзистор MBQ60T65PES

Транзистор MBQ60T65PES

Артикул: 304591
25,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 428

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 650

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.85

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 100

Максимальная температура перехода (Tj): 175

Время нарастания: 54

Емкость коллектора (Cc), pf: 270

Тип корпуса: TO247

304591

В этой категории 16 товаров:

Транзистор FMH16N50E to3p
Транзисторы IGBT

Транзистор FMH16N50E to3p

293119
15,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 195 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 16 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор STGB10NB37LZ (ISL9V3040S3S, 00210)
Транзисторы IGBT

Транзистор STGB10NB37LZ (ISL9V3040S3S, 00210)

267410
20,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.3V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 16V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Транзистор STGW30NC120HD
Транзисторы IGBT

Транзистор STGW30NC120HD

305009
32,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 220 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 Тип корпуса: TO247
Транзистор G60N100BNTD 2-21f2c
Транзисторы IGBT

Транзистор G60N100BNTD 2-21f2c

266555
27,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.9 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Транзистор STW15NK90Z
Транзисторы IGBT

Транзистор STW15NK90Z

275906
17,40 BYN
Максимальная рабочая температура 150 °CКоличество элементов на ИС 1Длина 15.75ммTransistor Configuration ОдинарныйТипичное время задержки включения 42 нсПроизводитель STMicroelectronicsТипичное время задержки выключения 135 nsМаксимальный непрерывный ток стока 15 А
Транзистор SGH80N60UFD
Транзисторы IGBT

Транзистор SGH80N60UFD

294996
35,20 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 70 Корпус: TO3P
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.