Транзистор GT40RR22

Транзистор GT40RR22

Артикул: 294994
25,20 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
294994

Просмотренные товары

Микросхема ADG736BRMZ
Микросхемы импортные

Микросхема ADG736BRMZ

305277
8,80 BYN
Тип переключатель Конфигурация 2 х spdt Сопротивление канала во включенном состоянии (Max), Ом 4 Напряжение питания: одиночное (В+), двойное (В±) +1.8…5.5 Время включения, Ton (Max), нс 12(тип) Время отключения, Toff (Max), нс 5(тип) Рабочая температура, °C -40…+125 Корпус msop-10 Вес, г 0.08
View
Транзистор 2SK1413
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1413

304724
24,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 16 ns Выходная емкость (Cd): 90 pf...
View
Транзистор IRG4BC30W-S
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4BC30W-S

276498
6,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Корпус: D2PAK
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор SGB07N120 d2pak (to263)
Транзисторы IGBT

Транзистор SGB07N120 d2pak (to263)

293378
25,60 BYN
Наименование: SGB07N120 Маркировка: GB07N120 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.7V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16.5A Корпус: D2PAK(TO263)
View
Транзистор GT40WR21
Транзисторы IGBT

Транзистор GT40WR21

282633
33,60 BYN
Максимальная рабочая температура 175 °C Длина 15.5мм Transistor Configuration Одинарный Производитель Toshiba Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 1800 В Максимальный непрерывный ток коллектора 40 A Тип корпуса TO-3P Максимальное рассеяние мощности 375 W Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия Ширина 4.5мм Высота 20мм...
View
Транзистор IRG4BC30UD (IGBT 23A, 600В) to-220
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG4BC30UD (IGBT 23A, 600В) to-220

266556
10,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12A Максимальная температура перехода (Tj): 150
View
Транзистор STGW30NC60KD
Транзисторы IGBT

Транзистор STGW30NC60KD

305007
41,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 Тип корпуса: TO247
View
Транзистор IHW20N135R5 to247
Транзисторы IGBT

Транзистор IHW20N135R5 to247

293255
27,20 BYN
Наименование: IHW20N135R5 Маркировка: H20PR5 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 288 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1350 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.65 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.