Транзистор IGBT RJP63F3

Транзистор IGBT RJP63F3

Артикул: 274227

IGBT 630V,40A,100nS

10,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
274227
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор GW20N60HS to247
Транзисторы IGBT

Транзистор GW20N60HS to247

293148
32,80 BYN
Маркировка: G20N60HS Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 178W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.5V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 36A
View
Микросхема 1505ЛБ2Б Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 1505ЛБ2Б Au

299629
8,60 BYN
представляет собой 2х4И-НЕ/4ИЛИ-НЕ и инвертор.Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.Выпускаются в прямоугольном металлокерамическом корпусе для монтажа на печатную плату.Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы.Тип корпуса: 402.16-33.Категория качества: ВП, ОСМ.Технические условия:  -...
View
Микросхема 556РТ5 Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 556РТ5 Ni

300213
4,80 BYN
интегральная микросхема (артикулярное наименование в соответствии с ГОСТ) микросхемы интегральные используются в РЭА в большой области применения с функционалом программируемое постоянное запоминающее устройство емкостью 4096бит (512х8) с открытым коллектором. Микросхемы выполнены в металлокерамическом корпусе 4118.24-1 с гибкими выводами. Тип прибора...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор FDPF51N25 to220f
Полевые транзисторы

Транзистор FDPF51N25 to220f

293105
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 28 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор SGB07N120 d2pak (to263)
Транзисторы IGBT

Транзистор SGB07N120 d2pak (to263)

293378
25,60 BYN
Наименование: SGB07N120 Маркировка: GB07N120 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.7V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16.5A Корпус: D2PAK(TO263)
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор FDPF51N25 to220f
Полевые транзисторы

Транзистор FDPF51N25 to220f

293105
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 28 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.