Транзистор HGTG30N60B3D

Транзистор HGTG30N60B3D

Артикул: 305002

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Тип корпуса: TO247

75,40 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
305002

Просмотренные товары

Микросхема 174ПС1 Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 174ПС1 Ni

299590
30,20 BYN
Микросхемы 174ПС1 представляют собой двойные балансные смесители (преобразователи частоты) для работы в радиоприемных устройствах диапазонов KB и УКВ.Содержат 17 интегральных элементов.174ПС1 выпускается в корпусе 201.16-13
View
Микросхема 564ЛН2В Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 564ЛН2В Au

300336
13,00 BYN
— цифровая микросхема 564-ой серии, являются транзисторной логикой с функционалом шесть логических элементов НЕ и используются в РЭА большой области эксплуатации. Производятся в керамометаллическом корпусе. Модель изделия наносится на металлической части корпуса. Номинальное значение нагрева при эксплуатации от минус 60 до плюс 125oC. Климатически...
View
Гироскоп-акселерометр MPU-6050 со встроенным...
Датчики

Гироскоп-акселерометр MPU-6050 со встроенным микроконтроллером

306768
32,64 BYN
Гироскоп-акселерометр трех-координатный на базе чипа MPU-6050 со встроенным микроконтроллером STM32.  Встроенный микроконтроллер получает данные с MPU-6050, обрабатывает их согласно командам собственной программы (фильтрация Калмана, комплиментарный фильтр и другие) и отправляет по асинхронному протоколу информацию, которая содержит данные о курсе, крене...
View
Микросхемы 1526ИР9 Ni
Микросхемы отечественные

Микросхемы 1526ИР9 Ni

299742
6,40 BYN
4-х разрядный последовательно-параллельный регистр Технология – КМОП Технические условия исполнения АЕЯР.431200.126-02ТУ, АЕЯР.431200.127-06ТУ. Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Краткие основные характеристики: Номинальный диапазон напряжений питания от 4,5В до 11В. Номинальный диапазон рабочих температур...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор GT30J122 to3p
Транзисторы IGBT

Транзистор GT30J122 to3p

293142
47,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 Максимальная температура перехода (Tj): 150
View
Транзистор 2SD1556
Транзисторы IGBT

Транзистор 2SD1556

295047
12,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор RJH60F5
Транзисторы IGBT

Транзистор RJH60F5

266693
24,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 260.4 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.37V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View
Транзистор STGW30NC60WD
Транзисторы IGBT

Транзистор STGW30NC60WD

305008
34,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.8 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 Тип корпуса: TO247
View
Транзистор STGW30V60DF
Транзисторы IGBT

Транзистор STGW30V60DF

294936
36,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 260 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.15 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Время...
View
Транзистор G20N60B3D
Транзисторы IGBT

Транзистор G20N60B3D

293129
38,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 165W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.