Транзистор 15N10-G (ME15N10-G) to-252 (d-pak)

Транзистор 15N10-G (ME15N10-G) to-252 (d-pak)

Артикул: 265399

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34.7 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14.7 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 24 nC

Время нарастания (tr): 33 ns

Выходная емкость (Cd): 58 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm

2,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

N-Channel 14.7A, 100V (замена IRF640N)

265399
Новый товар

Просмотренные товары

Водонепроницаемый ультразвуковой модуль для измерения...
Датчики

Водонепроницаемый ультразвуковой модуль для измерения расстояния

294051
32,00 BYN
Рабочее напряжение: DC 5 ВТок: 30mAАкустическая частота излучения: 40 кГцДальнее расстояние: 5 мСлепая зона: 25 смРазмер модуля: 41 мм * 28.5 мм /1.61 * 1.12"Разрешение: около 0.5 смУгол обзора: менее чем 50 градусовРабочая температура:-10 до 70 по Цельсию
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

В этой категории 16 товаров:

Транзистор H60N06 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H60N06 to220

293214
6,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 11 ns Выходная емкость (Cd): 400 pf...
View
Транзистор SUD50N024-09P dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор SUD50N024-09P dpak (to252)

293427
6,40 BYN
Наименование прибора: SUD50N024-09P Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 22 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 49 A Максимальная температура...
View
Транзистор AO4414
Полевые транзисторы

Транзистор AO4414

276138
2,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 4.2 ns Выходная емкость (Cd): 100 pf...
View
Транзистор IRF7470
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7470

276409
3,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор P2504BDG dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор P2504BDG dpak (to252)

293340
5,20 BYN
Наименование прибора: P2504BDG Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 41.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 32 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 7.2...
View
Транзистор 50N03 (NTD50N03,IDP50N03) to-251 (i-pak)
Полевые транзисторы

Транзистор 50N03 (NTD50N03,IDP50N03) to-251 (i-pak)

265418
1,04 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Выходная емкость (Cd): 280 pf Сопротивление сток-исток...
View
Транзистор AO3413 (A1T)
Полевые транзисторы

Транзистор AO3413 (A1T)

276131
1,04 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
View
Транзистор 2SK3767
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3767

311826
9,20 BYN
Маркировка: K3767 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150...
View
Транзистор STM8309
Полевые транзисторы

Транзистор STM8309

276720
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Общий заряд затвора (Qg): 115 nC Выходная емкость (Cd): 190 pf Сопротивление сток-исток открытого...
View
Транзистор 2SK2267
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2267

292969
43,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Общий заряд затвора (Qg): 170 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.011 Ohm
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.