Транзистор IGBT IRG4PH50UD

Транзистор IGBT IRG4PH50UD

Артикул: 274120

IGBT 1200V,45A,200W, 10-75kHz_с диодом_with diode

32,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
274120
Новый товар

Просмотренные товары

Микросхема 249КП4АТ Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 249КП4АТ Au

299887
109,80 BYN
Микросхема 249КП4АТ представляет собой высокочастотное сдвоенное герметичное МОП-реле 60В/60 мА.Используются в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.Выпускаются в плоском металлокерамическом корпусе с двухсторонним расположением выводов для монтажа на поверхность печатной платы.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы.Корпус...
View
Транзистор 20N60C3 (SPW20N60C3) to-247
Полевые транзисторы

Транзистор 20N60C3 (SPW20N60C3) to-247

265405
18,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 208 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A Общий заряд затвора (Qg): 87 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm
View
Микросхема 142ЕН12 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 142ЕН12 Au

299531
109,80 BYN
• Выходное напряжение 1,2 … 36,5 В • Диапазон рабочих температур минус 60°С … +125°С • Металлокерамический корпус 4116.4-3 • Категория качества «ВП» и «ОСМ» • Технические условия бК0.347.098-11 ТУ Предназначены для применения в аппаратуре специального назначения наземного и морского базирования, авиационной, ракетной и космической техники – классы 1-5 по...
View
Микросхема 564ИЕ9В Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 564ИЕ9В Ni

300234
3,80 BYN
цифровая микросхема 564-ой серии, являются транзисторной логикой с функционалом счетчик делитель на восемь и используются в РЭА большой области эксплуатации. Микросхемы выполнены в металлокерамическом корпусе. Марка прибора указывается на металлическом корпусе. Рабочая температура эксплуатации микросхемы от -60 до +125oC. Климатическое исполнение УХЛ и...
View
Микросхема 530ЛА16 Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 530ЛА16 Ni

300087
17,20 BYN
Цифровая микросхема серии ТТЛ изготовлена по биполярной технологии с диодами Шоттки и p-n переходом.Микросхема 530ЛА16 представляет собой два логических элемента 4И-НЕ (магистральный усилитель).Предназначена для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры специального назначения.Выпускается в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.Маркировка...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор STGB20NB37LZ
Транзисторы IGBT

Транзистор STGB20NB37LZ

266702
18,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 430V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View
Транзистор IRG4PC50U (IGBT 55A, 600В) to-247ac
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG4PC50U (IGBT 55A, 600В) to-247ac

266422
22,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 27A Максимальная температура перехода (Tj): 175
View
Транзистор IRGPS60B120KDP
Транзисторы IGBT

Транзистор IRGPS60B120KDP

268396
100,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 595W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.75V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 120A
View
Транзистор SGL160N60UFD to264
Транзисторы IGBT

Транзистор SGL160N60UFD to264

293380
57,20 BYN
Наименование: SGL160N60UFD Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 100 Корпус: TO264
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.