Транзистор RD70HVF1

Транзистор RD70HVF1

Артикул: 302657
311,12 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Тип корпуса: Ceramic, Large

302657

Просмотренные товары

Транзистор КТ342
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ342

259441
2,60 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в импульсных устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип приборов КТ342А, КТ343Б, КТ342В, КТ342Г указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,5 г.
Транзистор 2Т985АС Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т985АС Au

300938
137,36 BYN
Сборки 2Т985АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 220...400 МГц при напряжении питания 28 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.Сборка содержит внутренние согласующие LС-звенья для...
Транзистор КТ203БМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ203БМ

301164
0,40 BYN
Транзисторы КТ203БМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Транзисторы маркируются цветным кодом.Боковая поверхность корпуса у всех транзисторов окрашивается...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор K117
Полевые транзисторы

Транзистор K117

276560
0,00 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.014 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 250 Ohm TO92
Транзистор AP4513GH dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор AP4513GH dpak (to252)

293049
10,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 7.8 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 35 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10(8) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 7 ns Выходная емкость (Cd):...
Транзистор RJP5001
Полевые транзисторы

Транзистор RJP5001

276706
7,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 4.7 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 17 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 300 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Транзистор P5506HVG
Полевые транзисторы

Транзистор P5506HVG

276675
5,16 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор AON7408
Полевые транзисторы

Транзистор AON7408

276178
1,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 11 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.6 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор IRL5602S
Полевые транзисторы

Транзистор IRL5602S

276532
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 24 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор IRFPF50
Полевые транзисторы

Транзистор IRFPF50

276468
15,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SJ557
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ557

304673
27,60 BYN
Маркировка: XB Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 7 ns Выходная...
Транзистор AP40T03GH (40T03)
Полевые транзисторы

Транзистор AP40T03GH (40T03)

265423
9,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31.25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 28 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.