Транзистор 2SK2837(TTK2837)

Транзистор 2SK2837(TTK2837)

Артикул: 273989

N-Channel 500V, 20A, 150W

13,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
273989
Новый товар

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 11NM80
Полевые транзисторы

Транзистор 11NM80

275886
19,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор STD30NF06L dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор STD30NF06L dpak (to252)

293408
8,00 BYN
Наименование прибора: STD30NF06L Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 35 A Общий заряд затвора (Qg): 23 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm Тип корпуса: DPAK
Транзистор IRF7509 tsop8
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7509 tsop8

293271
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.4 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.11 Ohm Тип корпуса: MICRO8
Транзистор DMN4468LS
Полевые транзисторы

Транзистор DMN4468LS

311875
9,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.52 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8.7 A Общий заряд затвора (Qg): 18.85 nC Выходная емкость (Cd): 867 pf Сопротивление сток-исток открытого...
Транзистор IRG4BC20UD-S
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4BC20UD-S

276493
7,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.10V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6.5A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Корпус: D2PAK
Транзистор FDS8878
Полевые транзисторы

Транзистор FDS8878

276343
1,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор FDS4435
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4435

266065
2,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.8 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор AON6934 dfn5x6
Полевые транзисторы

Транзистор AON6934 dfn5x6

293036
12,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 33 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 36 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 2.5 ns Выходная емкость (Cd): 373 pf...
Транзистор 03N50C3
Полевые транзисторы

Транзистор 03N50C3

275850
1,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.2 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm Тип корпуса: DPAK
Транзистор 2SK735
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK735

311827
14,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 450 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 20 ns Выходная емкость (Cd): 320 pf
Транзистор J476
Полевые транзисторы

Транзистор J476

276554
13,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 33.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 25 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.