Транзистор 20N60KDA

Транзистор 20N60KDA

Артикул: 275947

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 156

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.7

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 20

Емкость коллектора (Cc), pf: 100

Корпус: TO247

13,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275947
Новый товар

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SJ201 to92
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ201 to92

292946
4,72 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.2 Ohm
Транзистор 2SJ178
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ178

304659
10,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 70 ns Выходная емкость (Cd): 130 pf...
Транзистор IRFP048N
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP048N

276455
8,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 62 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRLMS6702
Полевые транзисторы

Транзистор IRLMS6702

276541
2,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.7 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 0.7 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор AP4575GM
Полевые транзисторы

Транзистор AP4575GM

276206
5,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6(4.2) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 6(9.5) ns Выходная емкость (Cd):...
Транзистор FDS6994S
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6994S

311915
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.021...
Транзистор H13N50C to220is
Полевые транзисторы

Транзистор H13N50C to220is

293162
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 218 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор K2679
Полевые транзисторы

Транзистор K2679

276598
4,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.5 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm Тип корпуса: TO220NIS
Транзистор 2SJ557
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ557

304673
27,60 BYN
Маркировка: XB Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 7 ns Выходная...
Транзистор 2SK1191
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1191

292952
15,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 30 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 2500 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm
Транзистор J377
Полевые транзисторы

Транзистор J377

276551
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.