Транзистор IRFH5300TRPBF

Транзистор IRFH5300TRPBF

Артикул: 303316

Труба MOS

17,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
технические
Номинальная Мощность
3.6 W
Количество Каналов
1
Количество Стежков
8
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)
0.0011 Ω
Полярность
N-Channel
Рассеяние Мощности
250 W
Пороговое Напряжение
1.8 V
Входная Ёмкость
7200 pF
Напряжение Сток-исток (Vds)
30 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
40A
Время Нарастания
30 ns
Входная емкость (Ciss)
7200pF @15V(Vds)
Максимальная входная мощность
3.6 W
Время падения
13 ns
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
3.6W (Ta), 250W (Tc)
пакет
Стиль Монтажа
Surface Mount
Количество Выводов
8
Корпус/Пакет
QFN-8
размеры
Длина
6 mm
Ширина
5 mm
Корпус/Пакет
QFN-8
физическое
Рабочая Температура
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
303316

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK1487
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1487

304733
24,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 450 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 45 ns Выходная емкость (Cd): 230 pf...
Транзистор 2SK3078
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3078

304843
5,40 BYN
Маркировка: U* Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 10 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора...
Транзистор 2SK3532
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3532

292985
14,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 8 ns Выходная емкость (Cd):...
Транзистор 02NB80C3
Полевые транзисторы

Транзистор 02NB80C3

275849
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK3673
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3673

304866
18,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 6 ns Выходная емкость (Cd): 140 pf...
Транзистор H65N06 so8
Полевые транзисторы

Транзистор H65N06 so8

293220
7,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 63 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Сопротивление...
Транзистор SUM65N20-30 d2pak (to263)
Полевые транзисторы

Транзистор SUM65N20-30 d2pak (to263)

293429
9,60 BYN
Наименование прибора: SUM65N20-30 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 375 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 65 A Максимальная температура...
Транзистор H18N50 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H18N50 to220

293173
12,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 277 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 165 ns Выходная емкость (Cd): 330...
Транзистор K2746
Полевые транзисторы

Транзистор K2746

276602
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Общий заряд затвора (Qg): 55 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.7 Ohm Тип корпуса: TO3P
Транзистор AO4914
Полевые транзисторы

Транзистор AO4914

293017
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор IRFR9110
Полевые транзисторы

Транзистор IRFR9110

276480
3,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.