Транзистор STF18N55M5

Транзистор STF18N55M5

Артикул: 302599

Труба MOS

27,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Количество Стежков
3
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)
0.18 Ω
Полярность
N-Channel
Рассеяние Мощности
90 W
Пороговое Напряжение
4 V
Напряжение Сток-исток (Vds)
600 V
Время Нарастания
9.5 ns
Входная емкость (Ciss)
1260pF @100V(Vds)
Максимальная входная мощность
90 W
Время падения
13 ns
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
110W (Tc)
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-220-3
размеры
Длина
10.4 mm
Ширина
4.6 mm
Высота
15.75 mm
Корпус/Пакет
TO-220-3
физическое
Материал
Silicon
Рабочая Температура
150℃ (TJ)
302599

В этой категории 16 товаров:

Транзистор FDS4511 so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4511 so8

293108
10,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20...
Транзистор 7N52DK3
Полевые транзисторы

Транзистор 7N52DK3

276086
4,64 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 90 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 525 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 28NK60Z
Полевые транзисторы

Транзистор 28NK60Z

275973
26,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 350 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 27 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 9NM60N
Полевые транзисторы

Транзистор 9NM60N

276127
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK1011
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1011

304691
21,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 450 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор STD10NM60N (10NM60N)
Полевые транзисторы

Транзистор STD10NM60N (10NM60N)

265445
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRFP048N
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP048N

276455
8,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 62 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор AP9575GH dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор AP9575GH dpak (to252)

293055
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор RFD15P05 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор RFD15P05 dpak (to252)

293354
7,00 BYN
Наименование прибора: RFD15P05 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала...
Транзистор AOT416 to220
Полевые транзисторы

Транзистор AOT416 to220

293042
18,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 42 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
Транзистор CEP6060 to220
Полевые транзисторы

Транзистор CEP6060 to220

293093
12,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 52.4 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время нарастания (tr): 4.5 ns Выходная емкость (Cd): 300...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.