Транзистор NTF3055L sot223

Транзистор NTF3055L sot223

Артикул: 293335

Маркировка: 3055L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.1 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 15 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.092 Ohm

Тип корпуса: SOT223, TO261

3,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293335

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK4207
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK4207

304883
27,00 BYN
Маркировка: K4207 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A Максимальная температура канала (Tj):...
Транзистор IRG4BC30FD-S
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4BC30FD-S

276495
7,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.80V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 31A Корпус: D2Pak
Транзистор FDS6900AS so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6900AS so8

293115
9,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 11 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор IRF7306
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7306

276394
6,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.6 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.16 Ohm Тип корпуса: SO8
Транзистор 2SK3405
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3405

304855
16,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 48 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 13 ns Выходная емкость (Cd): 770 pf...
Транзистор BUK446-800
Полевые транзисторы

Транзистор BUK446-800

312589
9,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4 Ohm
Транзистор H85N06 to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H85N06 to220f

293243
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 160 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 85 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор 3NC90ZPF
Полевые транзисторы

Транзистор 3NC90ZPF

275998
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK3074
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3074

304842
15,20 BYN
Маркировка: W* Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.