Транзистор 60N60C2

Транзистор 60N60C2

Артикул: 276052

Корпус TO-247
Вес 8 г
IGBT 600V,100A,Vce=1.7V
Напряжение, V: 600
IGBT с диодом: Без диода
Ток, A: 100

20,40 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276052
Новый товар

Просмотренные товары

Микросхема 533АГ3
Микросхемы отечественные

Микросхема 533АГ3

264319
60,00 BYN
Цифровая микросхема серии ТТЛ изготовлена по биполярной технологии.Микросхема 533АГ3 представляет собой два одновибратора с повторным запуском.Содержит 238 интегральных элементов.Корпус типа 402.16-32, масса не более 1,1 г.Напряжение питания: 5 ±10% В.Ток потребления: не более 20 мА.Рабочая температура: -60...+125°С.Технические условия: бК0.347.141ТУ45/02.
View
Транзистор 2SC3040
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3040

264749
17,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор H10N60C to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H10N60C to220f

293151
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор IRF7101
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7101

276389
1,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.5 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm Тип корпуса: SO8
View
Транзистор 50N03 (NTD50N03,IDP50N03) to-251 (i-pak)
Полевые транзисторы

Транзистор 50N03 (NTD50N03,IDP50N03) to-251 (i-pak)

265418
1,04 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Выходная емкость (Cd): 280 pf Сопротивление сток-исток...
View
Транзистор 140N30P
Полевые транзисторы

Транзистор 140N30P

275894
55,84 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1040 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 300 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 140 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор RU6099 to220
Полевые транзисторы

Транзистор RU6099 to220

293375
6,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 120 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
View
Транзистор APM4008N
Полевые транзисторы

Транзистор APM4008N

276252
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 16 ns Выходная емкость (Cd): 260 pf...
View
Транзистор IRL640 orig to-220
Полевые транзисторы

Транзистор IRL640 orig to-220

276533
5,32 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 17 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор IRF1407
Полевые транзисторы

Транзистор IRF1407

259862
11,00 BYN
ярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 330 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 75 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 130 A Общий заряд затвора (Qg): 160 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0078 Ohm Тип корпуса: TO220AB
View
Транзистор H6N60 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H6N60 to220

293223
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 70 ns Выходная емкость (Cd): 95 pf...
View
Транзистор FDD2582
Полевые транзисторы

Транзистор FDD2582

276307
4,92 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 95 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 21 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор IRFB1404
Полевые транзисторы

Транзистор IRFB1404

276433
12,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 162 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 160 nC Выходная емкость (Cd):...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.