Транзисторы импортные

Транзистор J122
Полевые транзисторы

Транзистор J122

276547
1,96 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор J352 ( хорошая замена 2SJ201 )
Полевые транзисторы

Транзистор J352 ( хорошая замена 2SJ201 )

276550
32,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 1000 pf Сопротивление сток-исток...
Транзистор J377
Полевые транзисторы

Транзистор J377

276552
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор J377
Полевые транзисторы

Транзистор J377

276551
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор J476
Полевые транзисторы

Транзистор J476

276554
13,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 33.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 25 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
Транзистор J557
Полевые транзисторы

Транзистор J557

276556
11,64 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор J6820
Биполярные транзисторы

Транзистор J6820

275719
14,96 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 750 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор J6822
Биполярные транзисторы

Транзистор J6822

275720
7,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор J6916
Биполярные транзисторы

Транзистор J6916

275721
7,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор J6920 (A)
Биполярные транзисторы

Транзистор J6920 (A)

275727
15,76 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A Статический коэффициент передачи тока...
Транзистор JCS7N65FB
Полевые транзисторы

Транзистор JCS7N65FB

311960
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор K1070
Полевые транзисторы

Транзистор K1070

276558
10,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175...
Транзистор K1099
Полевые транзисторы

Транзистор K1099

276559
6,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 80 ns Выходная емкость (Cd): 200 pf...
Транзистор K10A60D (TK10A60D) to-220f/3
Полевые транзисторы

Транзистор K10A60D (TK10A60D) to-220f/3

265444
6,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор K117
Полевые транзисторы

Транзистор K117

276561
2,60 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.014 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 250 Ohm TO92
Транзистор K117
Полевые транзисторы

Транзистор K117

276560
0,00 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.014 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 250 Ohm TO92
Транзистор K126
Полевые транзисторы

Транзистор K126

276562
8,56 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор K1377
Полевые транзисторы

Транзистор K1377

276564
17,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 25 ns Сопротивление сток-исток...
Показано 4609-4644 из 5751
Транзисторы импортные
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.