Транзистор MMBT5551

Транзистор MMBT5551

Артикул: 275739

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80

SOT23

0,32 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275739
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор IRF9613
Полевые транзисторы

Транзистор IRF9613

293273
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.5 Ohm Тип корпуса: TO220
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Микросхема NE555N dip-8
Микросхемы импортные

Микросхема NE555N dip-8

264602
1,32 BYN
 представляют собой времязадающую схему (таймер).Предназначены для формирования импульсов напряжения длительностью от нескольких микросекунд до десятков минут, обнаружения сбоя в импульсной последовательности, обеспечения прецизионной временной выдержки и для применения в стабильных датчиках времени, генераторах импульсов, широтноимпульсных, частотных и...
View
Транзистор BD139 orig.
Биполярные транзисторы

Транзистор BD139 orig.

275137
1,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор N4403
Биполярные транзисторы

Транзистор N4403

275769
0,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SD2334
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2334

292935
12,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC1972
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1972

303523
32,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SD2396 to220f
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2396 to220f

292937
3,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор 2SD428
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD428

312540
5,60 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 7 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 60 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 140 Граничная частота коэффициента передачи тока: 7 МГц Корпус: TO-3
View
Транзистор 2N1478
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N1478

303486
5,60 BYN
Материал: Ge Структура: pnp Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 250mW Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 20V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 20V Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 500mA Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C...
View
Транзистор BCP54
Биполярные транзисторы

Транзистор BCP54

303715
0,40 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не более: 45 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1.5 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 250 Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц Корпус: SOT-223
View
Транзистор FZT790A
Биполярные транзисторы

Транзистор FZT790A

311596
4,20 BYN
Наименование производителя: FZT790A Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная...
View
Транзистор 2SD1454
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1454

312513
8,00 BYN
Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 12
View
Транзистор D44VH10G
Биполярные транзисторы

Транзистор D44VH10G

311591
8,00 BYN
Наименование производителя: D44VH10G Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 83 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A...
View
Транзистор 2SC5931
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5931

304196
18,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC3680
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3680

303784
8,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор KU608
Биполярные транзисторы

Транзистор KU608

275729
8,56 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9 MHz...
View
Транзистор 2SD1590
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1590

304330
16,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 6000 Корпус транзистора: TO220F
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор MMBT5401
Биполярные транзисторы

Транзистор MMBT5401

275738
0,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.