Транзистор MMBT8050LT1G

Транзистор MMBT8050LT1G

Артикул: 302802
0,56 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85

Корпус транзистора: SOT-23

302802

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC4423
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4423

304029
9,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 55 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft):...
Транзистор 2SA1249
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1249

290263
2,40 BYN
Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C Граничная...
Транзистор 2SB1121
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1121

303126
8,60 BYN
Маркировка: BDR_BDS_BDT_BDU Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная...
Транзистор 2SA1202
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1202

302888
5,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор D1223
Биполярные транзисторы

Транзистор D1223

275577
2,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор BC846A
Каталог

Транзистор BC846A

303695
0,60 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 65 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 110 до 220 Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц Корпус: SOT-23
Транзистор 2SD1163
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1163

304255
8,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC3987
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3987

303878
21,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор BU2527AF
Биполярные транзисторы

Транзистор BU2527AF

275227
8,56 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 145 pf...
Транзистор 2SC2898
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2898

303641
5,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15 Корпус транзистора: TO220
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.