Транзистор MMBT3904LT1

Транзистор MMBT3904LT1

Артикул: 302804
0,32 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: SOT23

302804

Просмотренные товары

Реле РЭС59А п.021-01 "5"
Каталог

Реле РЭС59А п.021-01 "5"

300523
3,60 BYN
Реле РЭС-59А ХП4.500.020-01 герметичное, одностабильное, двухпозиционное, с одним или двумя переключающими контактами, питаемое постоянным током. Предназначено для коммутации электрических цепей постоянного и переменного тока частотой от 50 до 1100 Гц.Реле РЭС-59А, РЭС-59Б, РЭС-59В  соответствует требованиям ГОСТ 16121-86 и техническим условиям...
View
Транзистор 2SK2267
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2267

292969
43,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Общий заряд затвора (Qg): 170 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.011 Ohm
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор SI2302DS ( A2SHB )
Полевые транзисторы

Транзистор SI2302DS ( A2SHB )

276711
1,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.83 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 0.65 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2N5401 SOT23
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N5401 SOT23

290170
0,32 BYN
Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная...
View
Транзистор 2SC5888
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5888

275556
24,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор BC328-40
Биполярные транзисторы

Транзистор BC328-40

275103
0,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор BC337-16
Биполярные транзисторы

Транзистор BC337-16

303663
0,12 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не более: 50 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 250 Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц Корпус: TO-92
View
Транзистор 2SC1775A
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1775A

303504
3,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода...
View
Транзистор BD236C
Биполярные транзисторы

Транзистор BD236C

293071
4,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2N2218 Au
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N2218 Au

303485
5,60 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.8 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 120 Граничная частота коэффициента передачи тока: 250 МГц Корпус: TO-39
View
Транзистор 2SD2401
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2401

304539
59,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC5440
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5440

292894
19,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC1906
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1906

303512
2,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 19 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SB1225
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1225

275064
8,96 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175...
View
Транзистор 2SB1242
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1242

303139
5,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 185...
View
Транзистор 2SC4160
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4160

304011
3,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор SI2302DS ( A2SHB )
Полевые транзисторы

Транзистор SI2302DS ( A2SHB )

276711
1,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.83 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 0.65 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.