Транзистор MMD70R600P

Транзистор MMD70R600P

Артикул: 304452
20,40 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 71 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.3 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 23 nC

Время нарастания (tr): 27.6 ns

Выходная емкость (Cd): 34.9 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO-252

304452

Просмотренные товары

Лента медная 0,1 х 300мм 1 метр (мягкая)
Лента медная (на метры)

Лента медная 0,1 х 300мм 1 метр (мягкая)

371881
123,00 BYN
Толщина: 0.1 мм ( твердая) Ширина: 300 мм Длина: от 1 метра, кратно метру. При заказе нескольких метров поставляется одним рулоном (одной длиной) Сплав меди М1 содержит в себе минимальное количество примесей (0,01%). Он идеально пригоден для создания проводников с различным сечением, так как наличие посторонних металлов в составе ухудшает электро- и...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK2324
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2324

304787
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 25 ns Выходная емкость (Cd): 35 pf...
Транзистор TK16A60W
Полевые транзисторы

Транзистор TK16A60W

276735
7,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.7 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15.8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор AOP600 dip8
Полевые транзисторы

Транзистор AOP600 dip8

293040
9,20 BYN
Тип материала: Ge Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 110 °C
Транзистор IRFP4110
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP4110

286134
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 370 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 180 A Общий заряд затвора (Qg): 150 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0045 Ohm Тип...
Транзистор KF7N60F
Полевые транзисторы

Транзистор KF7N60F

311961
9,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 25 ns Выходная емкость (Cd): 100 pf...
Транзистор TK5A50D
Полевые транзисторы

Транзистор TK5A50D

276740
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
Транзистор 2SK793
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK793

293003
11,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 850 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 110 ns Выходная емкость (Cd): 190 pf...
Транзистор 2SK1643
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1643

304744
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 60 nC Время нарастания (tr): 18...
Транзистор H4N90 to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H4N90 to220f

293201
7,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 50 ns Выходная емкость (Cd): 65 pf...
Транзистор 2SK3878
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3878

264628
18,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A Общий заряд затвора (Qg): 60 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.3 Ohm
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.