Транзистор MMBT2222

Транзистор MMBT2222

Артикул: 275733

Корпус SOT-23
Вес 0,1 г
NPN 40V_General Purpose Transistors

0,20 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275733
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор 200NF04 (STP200NF04)
Полевые транзисторы

Транзистор 200NF04 (STP200NF04)

265402
9,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 310 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 120 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Модуль питания для макетной платы breadboard
Модули питания, зарядки

Модуль питания для макетной платы breadboard

265210
6,40 BYN
Совместим с 5В и 3,3В Входное напряжение: 6.5 ~ 12 В Выходное напряжение: 3,3В или 5В (выбирается перемычкой) Максимальный выходной ток: 700mA Два независимых выходных канала, может быть отдельно установлено 3.3 или 5В для каждого. Светодиодная индикация наличия выходного напряжения Кнопка включения с фиксацией

В этой категории 16 товаров:

Транзистор BSP62
Биполярные транзисторы

Транзистор BSP62

303808
0,40 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В Напряжение коллектор-база, не более: -90 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1.25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000 Граничная частота коэффициента передачи тока: 200 МГц Корпус: SOT-223
Транзистор A1358
Биполярные транзисторы

Транзистор A1358

274993
1,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 120 nC Время нарастания (tr): 25...
Транзистор 2SC5904
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5904

260184
9,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 17 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SA114 TO92S
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA114 TO92S

302875
2,00 BYN
Тип материала: Ge Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 34 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10...
Транзистор 2SB647A TO92H
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB647A TO92H

303199
2,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft):...
Транзистор 2SC9011 (S9011) npn
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC9011 (S9011) npn

264784
0,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SA1694 TO3PL
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1694 TO3PL

260033
12,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC5489
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5489

304147
34,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 16 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 8 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC5407
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5407

275482
16,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC5387
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5387

264781
9,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.