Транзистор MMD70R900P

Транзистор MMD70R900P

Артикул: 294939

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 700 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 25 ns

Выходная емкость (Cd): 330 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO252

6,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
294939

Просмотренные товары

Транзистор Si8050SD d2pak (to263)
Полевые транзисторы

Транзистор Si8050SD d2pak (to263)

293397
17,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор FDS9926
Полевые транзисторы

Транзистор FDS9926

276352
1,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03...
Транзистор 2SC5584
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5584

292899
15,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 3N90
Полевые транзисторы

Транзистор 3N90

265417
3,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 43 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор AP2761I-A
Полевые транзисторы

Транзистор AP2761I-A

276192
13,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 37 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 53 nC Время нарастания (tr): 20...
Транзистор FCB11N60TM
Полевые транзисторы

Транзистор FCB11N60TM

311876
18,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор 2SK1529
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1529

304735
42,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 180 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 150 pf Сопротивление сток-исток...
Транзистор 30N06
Полевые транзисторы

Транзистор 30N06

275979
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 79 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 32 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор K2642
Полевые транзисторы

Транзистор K2642

276595
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 35 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 110 ns Выходная емкость (Cd): 250 pf...
Транзистор AP9962AGH
Полевые транзисторы

Транзистор AP9962AGH

276230
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 27.8 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 32 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор 2SK2485
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2485

304795
17,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 40 nC Время нарастания (tr): 10...
Транзистор 6NC80Z
Полевые транзисторы

Транзистор 6NC80Z

312578
16,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.75 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий...
Транзистор PHT4NQ10LT sot223
Полевые транзисторы

Транзистор PHT4NQ10LT sot223

293347
9,20 BYN
Наименование прибора: PHT4NQ10LT Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 6.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.5 A Максимальная температура...
Транзистор K2759-01MR
Полевые транзисторы

Транзистор K2759-01MR

276603
14,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 35 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 110 ns Выходная емкость (Cd): 250 pf...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.