Транзисторы

Транзисторы IGBT

Транзистор GT50N322A

303822

32,00 BYN

Транзисторы IGBT

Транзистор GT50T121

276363

29,36 BYN

2-21F1A

Транзисторы IGBT

Транзистор GT50T301

276364

25,96 BYN

2-21F1A

Транзисторы IGBT

Транзистор GT60J321

274692

26,00 BYN

IGBT чип N-CH 600V 60A 3Pin(3 + Tab)

Транзисторы IGBT

Транзистор GT60M301

268390

41,36 BYN

Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.4V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 15V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 400

Транзисторы IGBT

Транзистор GT60M303

268391

42,00 BYN

Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.7V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 15V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 400

Транзисторы IGBT

Транзистор GT60M324

294993

38,00 BYN

КРЕМНИЕВЫЙ N - КАНАЛЬНЫЙ IGBT

Транзисторы IGBT

Транзистор GT60N321 (Q) (60A, 1000V)

268392

32,00 BYN

Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 170 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.6 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода (Tj): 150

Транзисторы IGBT

Транзистор GT60N322

293145

60,00 BYN

IGBT 1000V 57A

Транзисторы IGBT

Транзистор GTP14N36G3VL

293146

14,40 BYN

Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.45V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 10V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...

Транзисторы IGBT

Транзистор GW19NC60WD to247

293147

28,80 BYN

Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 140W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.8V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12A

Транзисторы IGBT

Транзистор GW20N60HS to247

293148

32,80 BYN

Маркировка: G20N60HS Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 178W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.5V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 36A

Транзисторы IGBT

Транзистор GW30N120KD (STGW30N120KD) to-247

266553

18,00 BYN

Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 220W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.7V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20A

Транзисторы IGBT

Транзистор GW45HF60WD to247

293149

41,20 BYN

Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.65V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30A

Транзисторы IGBT

Транзистор GW50NB60M

268387

45,60 BYN

Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 190W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.8V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...

Транзисторы IGBT

Транзистор GW60V60DF

268386

21,00 BYN

Маркировка: GW60V60DF Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 375 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.15 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода...

Полевые транзисторы

Транзистор H10N60C to220f

293151

7,00 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

Полевые транзисторы

Транзистор H10N65 to220f

293152

7,52 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 178 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 69 ns Выходная емкость (Cd): 166 pf...

Полевые транзисторы

Транзистор H10NK60Z метал

293153

11,00 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 115 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Общий заряд затвора (Qg): 50 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.75 Ohm

Полевые транзисторы

Транзистор H10NK60ZFP изол.

293154

11,00 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

Полевые транзисторы

Транзистор H10NK80ZFP

294992

14,00 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

Полевые транзисторы

Транзистор H10NM60 to220f

293155

12,00 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

Полевые транзисторы

Транзистор H11N60 to220f

293156

8,72 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 272 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...

Полевые транзисторы

Транзистор H11N65 to220f

293157

6,80 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 49.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 52 ns Выходная емкость (Cd): 180...

Показано 4081-4104 из 6884