Транзистор IRF6613

Транзистор IRF6613

Артикул: 303100

 Труба MOS

21,60 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
технические
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)
3.40 Ω
Полярность
N-Channel
Рассеяние Мощности
89.0 W
Серия Деталей
IRF6613
Напряжение Сток-исток (Vds)
40.0 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)
40.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
18.0 A
пакет
Количество Выводов
5
303100

Просмотренные товары

Транзистор K3528
Полевые транзисторы

Транзистор K3528

276630
24,00 BYN
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 17 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CВремя нарастания (tr): 37 nsВыходная емкость (Cd): 290...
Транзистор IRLR2705
Полевые транзисторы

Транзистор IRLR2705

275512
4,80 BYN
ксимальное напряжение сток-исток Uси,В 55Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 24Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 40Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 46Крутизна характеристики, S 6.4
2Д220Б1
Диоды (разные)

2Д220Б1

313464
43,20 BYN
Диоды 2Д220Б1 кремниевые быстродействующие диффузионные выпрямительные.Предназначены для применения в выпрямительных и преобразовательных устройствах в диапазоне частот 1...50 кГц.Используются в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 8 г.Тип...
2Д220А
Диоды (разные)

2Д220А

313461
8,00 BYN
Диоды 2Д220А кремниевые, диффузионные p-n проводимости, высокочастотные, выпрямительные.Предназначены для применения в выпрямительных и преобразовательных устройствах в диапазоне частот 1...50 кГц Используются для работы в аппаратуре специального назначения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Масса диода не более 3 г.

В этой категории 16 товаров:

Транзистор TK8A60D
Полевые транзисторы

Транзистор TK8A60D

276746
3,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 9NM60N
Полевые транзисторы

Транзистор 9NM60N

276127
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 6N70F
Полевые транзисторы

Транзистор 6N70F

276076
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 700 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 27.3 ns Выходная емкость (Cd): 98.2...
Транзистор H50N03 ipak (to251)
Полевые транзисторы

Транзистор H50N03 ipak (to251)

293204
2,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Выходная емкость (Cd): 280 pf Сопротивление сток-исток...
Транзистор P06P03LDG
Полевые транзисторы

Транзистор P06P03LDG

276659
3,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 10 ns Выходная емкость (Cd): 135 pf...
Транзистор K1070
Полевые транзисторы

Транзистор K1070

276558
10,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175...
Транзистор 7N60B
Полевые транзисторы

Транзистор 7N60B

276088
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 147 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 80 ns Выходная емкость (Cd): 115 pf...
Транзистор FDS8880
Полевые транзисторы

Транзистор FDS8880

276344
3,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11.6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.