Транзистор IRF6613

Транзистор IRF6613

Артикул: 303100

 Труба MOS

21,60 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
технические
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)
3.40 Ω
Полярность
N-Channel
Рассеяние Мощности
89.0 W
Серия Деталей
IRF6613
Напряжение Сток-исток (Vds)
40.0 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)
40.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
18.0 A
пакет
Количество Выводов
5
303100

Просмотренные товары

Транзистор AF4953P
Полевые транзисторы

Транзистор AF4953P

311828
6,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор HY4004P
Полевые транзисторы

Транзистор HY4004P

311927
12,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 217 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 208 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор TPC8107
Полевые транзисторы

Транзистор TPC8107

293442
9,20 BYN
Наименование прибора: TPC8107 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 130...
Транзистор IRFP4768
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP4768

276465
41,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 520 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 93 A Общий заряд затвора (Qg): 180 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0175 Ohm Тип...
Транзистор UTC6N80L
Полевые транзисторы

Транзистор UTC6N80L

312100
8,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 138 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 95 ns Выходная емкость (Cd): 90 pf...
Транзистор 2SK1462
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1462

304729
15,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 80 ns Выходная емкость (Cd): 500 pf...
Транзистор 2N06L
Полевые транзисторы

Транзистор 2N06L

275974
1,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 8.33 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 65 ns Выходная емкость (Cd): 100 pf...
Транзистор IRFB3806
Полевые транзисторы

Транзистор IRFB3806

311956
5,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 71 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 43 A Общий заряд затвора (Qg): 22 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0158 Ohm Тип...
Транзистор FDD86250
Полевые транзисторы

Транзистор FDD86250

276316
6,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 132 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор AON7408
Полевые транзисторы

Транзистор AON7408

276178
1,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 11 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.6 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.