Транзистор IRF640NS

Транзистор IRF640NS

Артикул: 294957

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 44.7 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.15 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

14,52 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
294957

Просмотренные товары

Микросхема 5559ИН14Б Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 5559ИН14Б Au

300456
105,20 BYN
Соответствует стандарту ISO 11898-2 • Напряжение питания от 4,5 В до 5,5 В • Защита выходов передатчика ±40 В от короткого замыкания и перегрева для применения в 12/24 В автомобильных и промышленных системах управления • Быстродействующий дифференциальный приемник с диапазоном входного синфазного напряжения от минус 10 В до 10 В • Четыре режима работы: -...
Транзистор 2SC3423-Y
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3423-Y

303768
6,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Микросхема 1804ВА3 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 1804ВА3 Au

299687
13,00 BYN
Микросхемы 1804ВА3 представляют собой 4-разрядный канальный приемопередатчик с интерфейсной логикой (схемой контроля четности) и предназначены для подключения внутренних устройств микро-ЭВМ к общей шине (каналу).Имеют двухпортовый вход передатчика, нагрузочную способность канальных выходов 48 мА при низком уровне и 15 мА при высоком уровне, ТТЛШ выходы...
Микросхема 564ИЕ11В Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 564ИЕ11В Ni

300226
3,80 BYN
— цифровая микросхема 564-ой серии, являются транзисторной логикой с функционалом четырехразрядный двоичный счетчик и используются в РЭА большой области эксплуатации. Производятся в керамометаллическом корпусе. Модель изделия наносится на металлической части корпуса. Номинальное значение нагрева при эксплуатации от минус 60 до плюс 125oC. Климатически...
Микросхема 533ИМ6 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 533ИМ6 Au

300171
19,40 BYN
Цифровая микросхема серии ТТЛ изготовлена по биполярной технологии.Микросхема 533ИМ6 представляет собой четырехразрядный двоичный сумматор с ускоренным переносом.Предназначены для применения в аппаратуре специального назначения.Содержит 299 интегральных элементов.Корпус типа 402.16-32 масса не более 1,1 г.Напряжение питания: 5 ±10% В.Ток потребления: не...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK793
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK793

293003
11,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 850 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 110 ns Выходная емкость (Cd): 190 pf...
Транзистор QM4003D dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор QM4003D dpak (to252)

293350
4,00 BYN
Наименование прибора: QM4003D Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 27 A Максимальная температура...
Транзистор 2SK4107
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK4107

292998
22,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 48 nC Время нарастания (tr): 50...
Транзистор 13NK60Z
Полевые транзисторы

Транзистор 13NK60Z

275893
5,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор FDD6512
Полевые транзисторы

Транзистор FDD6512

276311
8,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 43 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 36 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
Транзистор IRFR420 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор IRFR420 dpak (to252)

293285
7,20 BYN
Наименование прибора: IRFR420 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.4 A Максимальная температура...
Транзистор IRF7484 so8
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7484 so8

293270
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 03N60S5
Полевые транзисторы

Транзистор 03N60S5

275852
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.2 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm Тип корпуса: TO220
Транзистор 2SJ599
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ599

304677
9,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 9 ns Выходная емкость (Cd): 150 pf...
Транзистор IRFR9120N
Полевые транзисторы

Транзистор IRFR9120N

276481
2,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 18 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор IRFR320
Полевые транзисторы

Транзистор IRFR320

282625
3,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.