Транзистор IRF640NS

Транзистор IRF640NS

Артикул: 294957

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 44.7 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.15 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

14,52 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
294957

Просмотренные товары

Модуль питания для breadboard mb-102
Модули питания, зарядки

Модуль питания для breadboard mb-102

312363
11,20 BYN
Модуль питания для макетных плат на 830 и 400 точек. Перемычками регулируется подаваемое на макетную плату напряжение - 3.3В или 5В, так же на плате имеются выходы 3.3В и 5В, не подключенные к макетной плате, для питания периферии или устройств с другим требуемым напряжением.  

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRF710
Полевые транзисторы

Транзистор IRF710

276388
3,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 36 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SJ5027F
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ5027F

304671
10,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор TK12A50D
Полевые транзисторы

Транзистор TK12A50D

276728
4,44 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRFP048N
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP048N

276455
8,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 62 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор AO4712 soic8
Полевые транзисторы

Транзистор AO4712 soic8

293012
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор 2SK1488
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1488

304734
19,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 30 ns Выходная емкость (Cd): 210 pf...
Транзистор FDS8958A
Полевые транзисторы

Транзистор FDS8958A

276347
3,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 9.6 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор 2SK1413
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1413

304724
24,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 16 ns Выходная емкость (Cd): 90 pf...
Транзистор 2SJ655
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ655

304679
9,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 95 ns Выходная емкость (Cd): 155 pf...
Транзистор AP9960GM
Полевые транзисторы

Транзистор AP9960GM

276229
4,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.8 A Время нарастания (tr): 6.3 ns Выходная емкость (Cd): 235 pf...
Транзистор IRL3705N (Z)
Полевые транзисторы

Транзистор IRL3705N (Z)

266075
19,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 77 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 65.3 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.01 Ohm Тип корпуса: TO220AB
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.