Транзистор IRF6218

Транзистор IRF6218

Артикул: 303096
23,80 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 250 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 27 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 71 nC

Время нарастания (tr): 70 ns

Выходная емкость (Cd): 370 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.15 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

303096

Просмотренные товары

Транзистор 2SA970 TO92
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA970 TO92

264631
0,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SJ598
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ598

304676
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 23 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 4 ns Выходная емкость (Cd): 150 pf...
BUTW92 TO3PML
Биполярные транзисторы

BUTW92 TO3PML

282870
17,00 BYN
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,5 В Максимальная рабочая температура +150 °C Количество элементов на ИС 1 Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 2 В Длина 15.9мм Transistor Configuration Одинарный Максимальное напряжение коллектор-база 500 В Производитель STMicroelectronics Максимальное напряжение К-Э...
Транзистор 2SC5929
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5929

304195
18,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1550 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK2842
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2842

304822
10,20 BYN
Маркировка: K2842 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150...
Транзистор STK0760 to220F
Полевые транзисторы

Транзистор STK0760 to220F

293415
6,40 BYN
Маркировка: STK0760 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 65 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150...
Транзистор 2SK3590
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3590

311825
16,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 270 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 57 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 26 ns Выходная емкость (Cd): 310 pf...
Транзистор H75N06 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H75N06 to220

293230
5,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 5200 pf Сопротивление сток-исток...
Транзистор 11NM80
Полевые транзисторы

Транзистор 11NM80

275886
19,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор J377
Полевые транзисторы

Транзистор J377

276552
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор FDS8958A
Полевые транзисторы

Транзистор FDS8958A

276347
3,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 9.6 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор FDS4470
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4470

276326
1,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12.5 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK4108 2-16c1b (to3p,sc-65)
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK4108 2-16c1b (to3p,sc-65)

292999
21,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 70 nC Время нарастания (tr): 70...
Транзистор 75N60H3 ( K75H603 )
Полевые транзисторы

Транзистор 75N60H3 ( K75H603 )

276084
28,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 428 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 140 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Время...
Транзистор AO3402 (A29T)
Полевые транзисторы

Транзистор AO3402 (A29T)

276130
0,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.