Транзистор RJP30E2 TO220F

Транзистор RJP30E2 TO220F

Артикул: 276701

Корпус TO-220F
Вес 2,9 г
IGBT 360V,35A
Напряжение, V: 360
IGBT с диодом: Без диода
Ток, A: 35

7,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276701
Новый товар

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор RJH30E2
Транзисторы IGBT

Транзистор RJH30E2

266705
6,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.7 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 35 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор AO4620
Полевые транзисторы

Транзистор AO4620

276158
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.6 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.2(5.3) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
View
Транзистор HUF75637S
Полевые транзисторы

Транзистор HUF75637S

311924
10,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 155 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 44 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор IXTA60N20T d2pak (to263)
Полевые транзисторы

Транзистор IXTA60N20T d2pak (to263)

293296
30,80 BYN
Наименование прибора: IXTA60N20T Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 500 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Общий заряд затвора (Qg):...
View
Транзистор H10N65 to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H10N65 to220f

293152
7,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 178 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 69 ns Выходная емкость (Cd): 166 pf...
View
Транзистор NDS8435
Полевые транзисторы

Транзистор NDS8435

312020
13,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 2SJ162 to3p
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ162 to3p

292945
64,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 160 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 15 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 400 pf Сопротивление сток-исток...
View
Транзистор STP120NF10 (120NF10)
Полевые транзисторы

Транзистор STP120NF10 (120NF10)

265449
13,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 312 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 110 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор K2232 ( ДЕМОНТАЖ )
Полевые транзисторы

Транзистор K2232 ( ДЕМОНТАЖ )

276582
4,64 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 25 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.046 Ohm TO220
View
Транзистор AOD4454
Полевые транзисторы

Транзистор AOD4454

276169
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.6 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
View
Транзистор H80N03S (2N0303) d2pak (to263)
Полевые транзисторы

Транзистор H80N03S (2N0303) d2pak (to263)

293240
14,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 136 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 80 A Общий заряд затвора (Qg): 140 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0024 Ohm Тип корпуса: PGTO263
View
Транзистор AOD478
Полевые транзисторы

Транзистор AOD478

276170
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.8 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
View
Транзистор STD7NM80 (7NM80) to-252 (d-pak)
Полевые транзисторы

Транзистор STD7NM80 (7NM80) to-252 (d-pak)

265446
9,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 90 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор RJH30E2
Транзисторы IGBT

Транзистор RJH30E2

266705
6,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.7 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 35 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.