Транзистор RJP30E2 TO220F

Транзистор RJP30E2 TO220F

Артикул: 276701

Корпус TO-220F
Вес 2,9 г
IGBT 360V,35A
Напряжение, V: 360
IGBT с диодом: Без диода
Ток, A: 35

7,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276701
Новый товар

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор RJH30E2
Транзисторы IGBT

Транзистор RJH30E2

266705
6,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.7 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 35 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор AP40N03GP (40NF03,40N03)
Полевые транзисторы

Транзистор AP40N03GP (40NF03,40N03)

266086
4,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31.25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 28 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 62 ns Выходная емкость (Cd): 145...
View
Транзистор 2SK3746
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3746

304874
37,80 BYN
Маркировка: K3746 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A Максимальная температура канала (Tj):...
View
Транзистор 2SK544
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK544

304892
13,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.03 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 90 Ohm
View
Транзистор TK8A60D
Полевые транзисторы

Транзистор TK8A60D

276746
3,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор MDD5N40
Полевые транзисторы

Транзистор MDD5N40

294940
5,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
View
Транзистор IRF630N
Полевые транзисторы

Транзистор IRF630N

276385
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 82 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.5 A Общий заряд затвора (Qg): 23.3 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.3 Ohm Тип...
View
Транзистор APM2513N
Полевые транзисторы

Транзистор APM2513N

276250
2,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 40 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 14N36G3VL
Полевые транзисторы

Транзистор 14N36G3VL

275896
21,44 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.45V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 10V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View
Транзистор H3NK90ZFP to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H3NK90ZFP to220f

293196
11,00 BYN
Маркировка: P3NK90ZFP Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj):...
View
Транзистор 2SK3711
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3711

304873
28,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 70 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор RJH30E2
Транзисторы IGBT

Транзистор RJH30E2

266705
6,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.7 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 35 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.