Транзистор IRGB14C40L

Транзистор IRGB14C40L

Артикул: 303546
35,60 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 430

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.4

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20

Тип корпуса: TO220AB

303546

Просмотренные товары

Транзистор K117
Полевые транзисторы

Транзистор K117

276560
0,00 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.014 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 250 Ohm TO92
View
Транзистор 2SK246Y
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK246Y

304793
2,20 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.014 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 650 Ohm Тип корпуса: TO92
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRG4BC30UD (IGBT 23A, 600В) to-220
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG4BC30UD (IGBT 23A, 600В) to-220

266556
10,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12A Максимальная температура перехода (Tj): 150
View
Транзистор STGD3NB60SDT4
Транзисторы IGBT

Транзистор STGD3NB60SDT4

305018
16,20 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 48 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.1 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 Тип корпуса: DPAK
View
Транзистор GW50NB60M
Транзисторы IGBT

Транзистор GW50NB60M

268387
45,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 190W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.8V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View
Транзистор 2SC5331
Транзисторы IGBT

Транзистор 2SC5331

295048
21,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор STGB10NB37LZ (ISL9V3040S3S, 00210)
Транзисторы IGBT

Транзистор STGB10NB37LZ (ISL9V3040S3S, 00210)

267410
20,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.3V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 16V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.