Транзистор 2SK3918 to-252

Транзистор 2SK3918 to-252

Артикул: 264846

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 29 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 48 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 14 ns

Выходная емкость (Cd): 310 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0075 Ohm

3,00 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Наименование прибора: 2SK3918

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 29 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 48 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 14 ns

Выходная емкость (Cd): 310 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO251_MP3

264846
Новый товар

Просмотренные товары

Микросхема К157УН1А
Микросхемы отечественные

Микросхема К157УН1А

292856
9,52 BYN
Микросхемы представляют собой трехкаскадные предварительные усилители низкой частоты. Предназначены для применения в радиоприемниках. Содержат 23 интегральных элемента. Корпус типа 201.14-1. Масса не более 1,5 г. Назначение выводов: 1 — обратная связь; 2 — регулировка усиления; 3 — вход; 4 — общий; 5 — смещение; 6 — коррекция; 7 — выход; 9 — питание (+U...
Микросхема TNY268GN DIP7SMD
Микросхемы импортные

Микросхема TNY268GN DIP7SMD

274712
21,00 BYN
TNY268GN представляет собой импульсный преобразователь (AC/DC) от компании Power Integrations. Микросхема снабжена всеми необходимыми узлами для управления 700V силовым MOSFET транзистором. В стандартный функциональный интегрированный набор входят: импульсный источник тока, схема ограничения тока, схема отключения по температуре. Управление и запуск...
Транзистор J377
Полевые транзисторы

Транзистор J377

276551
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

Покупатели этого товара так же приобрели:

В этой категории 16 товаров:

Транзистор SUP85N06
Полевые транзисторы

Транзистор SUP85N06

276107
7,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 160 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 85 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор FDMC6675BZ
Полевые транзисторы

Транзистор FDMC6675BZ

311879
9,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 36 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 9NK50Z
Полевые транзисторы

Транзистор 9NK50Z

276121
4,52 BYN
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.2 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление...
Транзистор 2SK3451
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3451

292983
11,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 34 nC Время нарастания (tr): 16...
Транзистор RSS090P03
Полевые транзисторы

Транзистор RSS090P03

312028
9,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор FDS9435A (SI9435DY)
Полевые транзисторы

Транзистор FDS9435A (SI9435DY)

266089
1,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.3 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор AOT416 to220
Полевые транзисторы

Транзистор AOT416 to220

293042
18,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 42 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
Транзистор 2SK2002
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2002

304756
7,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор 04N50C3
Полевые транзисторы

Транзистор 04N50C3

275853
2,16 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.5 A Общий заряд затвора (Qg): 22 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.95 Ohm Тип корпуса: DPAK
Транзистор STP5NK80Z
Полевые транзисторы

Транзистор STP5NK80Z

260376
13,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор NTF3055L sot223
Полевые транзисторы

Транзистор NTF3055L sot223

293335
3,00 BYN
Маркировка: 3055L Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 15 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.092 Ohm Тип корпуса: SOT223, TO261

Покупатели этого товара так же приобрели:

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.