Транзистор HGTG30N60A4

Транзистор HGTG30N60A4

Артикул: 312609

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Тип корпуса: TO247

33,60 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
312609

Просмотренные товары

Транзистор H10NK80ZFP
Полевые транзисторы

Транзистор H10NK80ZFP

294992
14,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRG4BC40U to-220ab
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG4BC40U to-220ab

266557
14,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 160W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20A Максимальная температура перехода (Tj): 150
Транзистор 25N15L (SUD25N15-52) to-252 (d-pak)
Транзисторы IGBT

Транзистор 25N15L (SUD25N15-52) to-252 (d-pak)

266418
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 25 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 72 nC Время нарастания (tr): 3...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.