Транзистор RJH30E3 to3p

Транзистор RJH30E3 to3p

Артикул: 293355

RJH30E3 - Power IGBT, 360V, 40A

26,40 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293355

Просмотренные товары

Транзистор КП306А Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор КП306А Ni

301617
4,20 BYN
Транзисторы КП306А кремниевые диффузионно-планарные полевые с двумя изолированными затворами, каналом n-типа и нормированным участком переходной характеристики.Предназначены для применения в преобразовательных и усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.Используются в электронной аппаратуре общего...
View
Транзистор H40N03 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор H40N03 dpak (to252)

293197
3,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 36 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 60 ns Выходная емкость (Cd): 380 pf...
View
Транзистор 12N60 to220
Полевые транзисторы

Транзистор 12N60 to220

293160
8,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 225 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 115 ns Выходная емкость (Cd): 200...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор GT30J122 to3p
Транзисторы IGBT

Транзистор GT30J122 to3p

293142
47,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 Максимальная температура перехода (Tj): 150
View
Транзистор SGH80N60UFD
Транзисторы IGBT

Транзистор SGH80N60UFD

294996
35,20 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 70 Корпус: TO3P
View
Транзистор IHW30N120R2 (30R1202) to247
Транзисторы IGBT

Транзистор IHW30N120R2 (30R1202) to247

293257
24,00 BYN
Наименование: IHW30N120R2 Маркировка: H30R1202 Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.0V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60A Корпус: TO247
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.